王剑钢，1977年毕业于吉林大学半导体系，半导体器件专业系，同年进入吉林大学半导体系从事教学工作；1984年考入清华大学电子系攻读硕士学位，1985获得硕士学位；1986年于吉林大学电子科学与工程学院电子工程系担任讲师、教研室副主任；1996年被聘任为吉林大学电子科学与工程学院副教授，电子工程系系主任；2001年被聘任为吉林大学电子科学与工程学院教授，生物医学工程系系主任。

人物名片

承担科研项目及获奖状况

代表性工作(垂直腔面发射激光器及其收发模块 电磁波屏蔽与吸收结构型复合材料)

人物名片

姓 名: 王剑钢

毕业院校：吉林大学半导体系、半导体专业系

学位：吉林大学学士学位、清华大学硕士学位

职称: 教授、硕士生导师

职务：生物医学工程系系主任

承担科研项目及获奖状况

在国内核心期刊或国际学术刊物上发表论文共19篇。目前承担项目共4项；其中：国家级1项，部（省）级2项，横向项目1项。获得国家专利6项。

在光器件与应用方向承担的主要工作和参与的科研项目有：

（1）“垂直腔面发射激光器及其收发模块” （教育部重大项目，2003）

（2）“超高速主动锁模光纤激光器真自启动及稳定性研究”（国家自然科学基金项目）。

在非电信号与检测方向承担的主要工作和参与的科研项目有：

（1）“硅基微结构湿度传感器的研究” ；

（2）“电磁波屏蔽与吸收结构型复合材料” ；

（3）“前置无源无线侦听系统” 。

代表性工作

垂直腔面发射激光器及其收发模块

本项目采用离子注入结构制造工艺的VCSEL作为光源。其主要特点是通过选择注入法将离子注入半导体材料中某一深度，控制注入的能量和离子质量，可以制作出确定的绝缘区域，形成高阻区，实现对注入电流的控制，进而实现横向电流控制，另外还具有较好的热耗散，器件制作和封装非常简单等优点。等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究　研究等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石上生长的ZnO薄膜退火后的特性变化，通过电参数测量和利用X光衍射、光致发光光谱方法对ZnO薄膜进行了表征。测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值，并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量，其结果是：退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm。这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高。

电磁波屏蔽与吸收结构型复合材料

根据军用指挥计算机机壳的多样性，小批量要求，在“八五”研制的基础上，采用一种全新的工艺路线，以达到低成本、高成品率的要求。

技术关键：

(1)以直流间歇式磁控溅射仪溅射出铜-镍，不锈钢-铜-不锈钢、铝等膜层，在14KHz-1GHz范围内实现屏蔽60db以上的屏蔽要求；在1GHz-1.5GHz范围内实现50db以上的屏蔽要求。

(2)金属膜层与基体塑料以及金属膜层间的结合牢固。

主要内容：

(1)建立一套溅射金属膜层的溅射设备

(2)研究膜层均匀性、厚度、粒度及反射性能等对电磁屏蔽性能的影响。

(3)研究掩蔽方法，预处理工艺及磁控溅射参数等对电磁屏蔽性能的影响。

(4)研究膜层的环境适应性及导电性能等。