孙永伟

男，汉族，1975年7月出生，山东诸城人。

1994年毕业于山东省诸城繁华中学，

1998年毕业于兰州大学物理系，获得学士学位；

1998年考入重庆大学理学院，1999年就读于中国科学院低温中心（现中国科学院物理所），2001年毕业，获得硕士学位；

2001年考入中国科学院半导体研究所，师从著名光电子专家陈良惠院士，2005年获得博士学位。

2005年加入通用电气全球研究中心（GE Global Research Center）。

主要研究背景有，超导薄膜材料的无损检测，利用MBE分子束外延进行超薄材料制备。

2005年，进入GE后，主要从事新型功能材料的研发。

2010年，通用电气能源集团全职黑带。

目前的研究领域为创新理论TRIZ (Theory of Inventive Problem Solving)，六西格玛设计（DFSS， Design for Six Sigma），精益(Lean)等等。利用TRIZ和DFSS解决项目中的难题。

2006年，获得GE six sigma (六西格玛）质量管理绿带证书。 2008年获得MATRIZ（国际TRIZ协会）一，二级证书。

2009年已经获得MATRIZ三级(专业级)证书。 已授权六西格玛设计黑带(Certified DFSS Black Belt)