莫斯-布尔斯坦效应即Moss-Burstein effect。是由于泡利不相容原理引起的。具体是指在重掺杂材料中，由于费米能级进入价带或者导带。从而使得导带底（或者价带顶）的能量状态已经被占据。在讨论光跃迁问题时，比如PL测量，出现的带隙变大的现象。

moss-burstein effect 是由泡利不相容原理引起的，当在半导体中掺杂增加时其带隙改变，价带顶和导带中未占据能态发生分离。n型重掺杂时由于费米能级在导带中而使带隙改变加大（p型时在价带中），满带阻碍热激发和光激发，因此利用带间吸收测得的带隙向高能方向移动（蓝移）。