技术磁化

技术磁化阐述的是关于铁磁质在整个磁化过程中磁化行为的机理，即阐明了在外磁场作用下，磁畴是通过何种机制逐渐趋向外磁场方向的。

技术磁化的过程可分为三个阶段：起始磁化阶段，急剧磁化阶段以及缓慢磁化并趋于磁饱和阶段。

磁畴的改变包括磁畴壁的移动(改变磁畴的大小)和 磁畴内磁矩的转动(改变磁矩的方向)。前者称为(磁畴) 壁移过程，后者称为(磁)畴转(动)过程。这种由外磁场 引起的磁畴大小和分布的改变(统称磁畴结构变化)，在 宏观上表现为强磁(铁磁和亚铁磁)物质的磁化强度M (或磁通密度B)随外加磁场的变化，称为技术磁化过 程。其中B二内(H+M)，脚为真空磁导率，又称磁常 数。M一H和B一H曲线称为技术磁化曲线，简称磁化曲 线(见图)。 磁化曲线和磁滞回线 特点铁磁物质和其他具有磁畴结构的磁有序物质 (统称强磁性物质)在技术磁化过程中表现出以下5个主 要特点。 ①强磁性物质在未受外磁场H作用时处于未磁化状 态，又称退磁状态(图中O点)。这时的宏观磁化强度 M为零。在受到外磁场作用后，M随H的增加而沿曲 线OAB变化。OAB曲线称起始磁化曲线，通常称磁 化曲线。如果从B点减小磁场到零后又在相反方向增 加磁场，则磁化强度沿BCDE变化;再减小磁场到零 后又在正方向增加磁场，则磁化强度沿EFGB变化。 整个曲线BCDEFGB称为磁滞回线。非线性的磁化曲 线和磁滞回线是技术磁化的两个主要特征。 ②磁化曲线表现的非线性是由于受外磁场磁化时， 壁移过程和畴转过程除可逆过程外，还具有不可逆过 程。一般的强磁性物质从退磁状态受外磁场磁化时，其 磁化过程可分为5个阶段:当外磁场很低时，主要为畴 壁的可逆移动过程(图中①)，磁化曲线基本上为直线; 再增加外磁场时，磁化曲线呈非线性陡然增大(图中 ②)，相当于不可逆壁移过程起主要作用，这是由于畴 壁能势垒产生的;若再增加外磁场，磁化曲线虽仍表现 弱的非线性，但增势减小(图中③)，这是由于不可逆壁 移过程减少，而可逆畴转过程起主要作用;外磁场进一 步增加，磁化曲线通过拐点(图中④)，这时不可逆畴转 过程起主要作用，然后磁化达到饱和状态，这时壁移和 畴转过程都相继结束，整个强磁性物质变为合磁矩转到 外磁场方向的单磁畴;如果再增大外磁场，这时便只能 是原子磁矩克服热扰动作用而趋向外磁场，类似顺磁物 质的磁化过程，故称为顺磁过程(图中⑤)。上述5段磁 化过程仅适用于一般强磁性物质的技术磁化过程。对于 特殊的强磁性物质，前4段磁化过程发生的次序和占的 比重都可能不相同，甚至只有畴转过程而没有壁移过 程，单磁畴磁性材料即如此。 ③磁滞回线同磁化曲线一样，也是由不可逆的壁移 和畴转过程产生的。由于铁磁性物质中微结构和微观结 构不同，可产生不同形状的磁滞回线。一般可将磁滞回 线分为5种类型:正常(S形)型回线，矩形回线，退化 型(低剩磁)回线，蜂腰型(剩磁突降)回线和不对称回 线。每种回线各有其特殊的

技术磁化

产生原因和应用领域。 ④由技术磁化过程产生的磁化强度（饱和磁化强度 除外）和磁滞回线形状都属于结构灵敏量（性质）。它们 不仅与强磁性物质的成分和晶体结构有关，而且还与其 热处理、应力状态和缺陷等微结构有关。 ⑤许多磁效应（如磁弹效应、旋磁效应等）都是在外 加磁场下伴随着技术磁化过程产生的。它同与自发磁化 过程相联系的另一些磁效应是不相同的。（李国栋） 技术磁化teehnieal magnetization铁磁物质和 其他具有磁畴结构的磁有序物质，在外加磁场作用下引 起的磁化强度的变化。这种磁性变化是由于磁畴结构改 变而产生，与磁畴内自发磁化强度的改变无关、〕因此， 技术磁化与自发磁化有明显区别。 磁滞回线现象是铁磁物质技术磁化的一个重要特 征，它是1881年由E.瓦堡(Warburg)和J.尤因 (Ewing)在铁中各自独立发现的。1887年，瑞利 (Rayleigh)进一步发现铁和钢在低磁场中磁化时，其 磁滞回线两支可用抛物线表示，起始磁化曲线的磁导率 （见磁性材料）与外加磁场成正比，后称为瑞利关系。 1907年P.外斯(Weiss)首先提出分子场假说和磁畴假 说，以说明铁磁物质在未受外加磁场磁化时不显磁性， 而在低磁场中就显示显著的磁化和磁滞现象。1931年 F.比特(Bitter)和L，Von哈莫斯(H巨mos)等独立地 采用细磁粉在显微镜中观测到磁畴图样。后陆续采用几 种磁畴观测法（如磁光法、电子显微镜法等）证实磁畴变 化与技术磁化曲线和磁滞回线间的关系。