基本信息

个人履历

成绩荣誉

基本信息

姓名 ： 黄翊东

任教专业 ： 理学-电子信息科学类

在职情况 ： 在职

性别 ： 女

所在院系 ： 电子工程系

所教课程 ：

研究方向 ： 半导体光电子器件以及纳结构光电子学

个人履历

1994年毕业于清华大学电子工程系(博士学位)。1991年至1993年作为清华大学-日本东京工业大学联合培养博士生赴日本东京工业大学荒井研究室留学,在此期间从事了应变量子阱激光器及放大器增益特性的研究。在理论上明确提出拉伸应变量子阱具有高微分增益和窄线宽的新论点；采用单层拉伸变量子阱有源区结构, 成功研制出低阈值(217A/cm2)的FP腔激光器和楔形波导大功率（单横模输出20.4dBm）光放大器；获得优秀博士论文奖。

1994年成为NEC光-无线器件研究所的特聘研究员,从事用于光纤通信领域的1.3及1.5微米DFB激光器的研究开发工作。提出DFB激光器“反射镜损耗反馈效应”的概念，为提高DFB激光器的性能提供了新的理论依据；发明“八分之一波长位移分布反馈”的新结构，在世界上首次实现了-20dB反射光注入状态下的无光隔离138公里传输；研究开发出独创的无温控抗反射PC-DFB激光器, 实现了从摄氏-40度到+85度的温度范围内无光隔离45公里传输；成功地研制出适合工作在高温环境下的FP腔激光器，实现了摄氏85度高温环境下无致冷工作时5mA的低阈值及输出功率5mW时仅20mA的低工作电流，这是世界上报道的同类器件中最好的实验结果。于1997年获得NEC一等研究功绩奖，2003年获得NEC二等研究功绩奖。

2003年7月作为清华大学“百人计划”引进人才，到清华大学电子工程系任教，2005年2月被聘为教育部长江学者特聘教授，目前致力于纳结构光电子学领域的研究。在半导体光子晶体和表面等离子体波导器件的研究中取得重要进展，成功研制出光子晶体带隙限制光波导以及传输损耗小于0.7dB/mm的表面等离子波导器件。

成绩荣誉

发表论文90余篇，获国外专利18项。

现为美国电子电机工程学会（IEEE）的会员，《电子学报》编委。