DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

标准

DDR2与DDR的区别(延迟问题 封装和发热量)

DDR2采用的新技术(OCD ODT Post CAS)

DDR2内存发展情况(综述 DDR2的昨天 DDR2的今天 DDR2产品生产情况 展望未来，DDR2的下一代接班人)

DDR2与DDR的区别

标准

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别

延迟问题

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

封装和发热量

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术

OCD

（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT

ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS

它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

DDR2内存发展情况

综述

DDR2内存上市已经约两年了，在此之前，价格高昂、新平台配套设备及整体解决方案的不成熟阻碍了DDR2的发展。不过随着PCI-E阵营的不断壮大，DDR2内存品种的丰富起来，加上业界领头羊Intel以及其它追随厂商对DDR2的推广，DDR2内存取代DDR已经成为了大势所趋，而AMD也在今年投向了DDR2内存阵营的怀抱。更重要的是，随着销量的上升DDR2的成本及市场价格不断地下滑。低廉的价格、更高的频率/带宽使得越来越多的用户都开始向DDR2内存看齐，DDR2一统江湖的日子已经不远。

DDR2的昨天

DDRII内存能有如此之多的技术革新，归功于研究人员们多年的研究。其实早在1998年JEDEC（电子工程设计发展联合协会）就开始着手研究DDRII技术，2003年就通过了JEDEC规格标准化，不过大规模登录市场还是从去年开始，这是为什么呢？在Intel推出 915/925芯片组之前（如图1），DDRII与DDR400相比，除了在技术性能上更加优秀外，无论是实用性还是性价比都没有优势可言。在大多数FSB为800MHz的Intel Pentium 4处理器面前，双通道模式下的DDR400所提供的6.4GB/S的带宽就已经能满足要求，而DDR2上市之初的价格也无法与DDR相抗衡，所以无论从性能需求还是从性价比去考虑，DDR2在上市好一段时间内都是在低市场份额情况下徘徊。

直至2005年年初，新的LGA 775 Pentium 4仍然使用800MHz前端总线，老迈的DDR400仍然能够满足带宽需求（如图2）。DDRII在增加内存带宽的同时也增加了内存延迟时间，也就是说每次操作要耗费的时钟周期将会增加。DDR-II内存需要4个时钟周期或者5个时钟周期，tRAS也可能会增加到最少8个时钟周期，而高速DDR内存的tRAS可以达到5个时钟周期。因此在800MHz前端总线下，DDR2并没有为系统性能带来多大的提升，只有CPU的前端总线再次提升后，DDRII才能真正发挥出其高带宽上的优势。

此外Intel 915/925芯片组也同时支持DDR内存，即使未来的CPU前端总线提升至1066 MHz或者更高的1200MHz，对于一些高规格的DDR566、DDR600仍能满足带宽的要求。因此在DDR2取代

DDR2的今天

尽管高频率的DDR566、DDR600可以满足Intel 915/925平台的需要（1066 MHz），但是高规格的DDR良品率与成本并不容易控制，在对性价比非常敏感的中国市场，高规格的DDR注定是难成气候。在915/925平台上，追逐性价比的大多数用户会更加看好DDRII内存。

历史总是向前发展的，最新的945/955X已经正式放弃了对DDR内存的支持，内存规格上也提升到双通道DDR2-667的水准（如图3），Intel的这一做法无疑是向DDR宣判死刑。如果说915/925时期还是DDR2与DDR的共存过渡期，那么945/955则是DDR2全面取代DDR的全盛时代。

不但是业界老大Intel，主板芯片组的新兴势力nVIDIA也推出了支持DDR2-667内存的nForce4 SLI Intel Edition，其他芯片组厂商当然也是跟风一片。就连比较顽固的AMD也都决定在其下一代Athlon 64/Opteron处理器上将整合DDR2-667内存控制器，这标志着DDR2-667将取代现有的DDR2-533成为新的标准。尽管DR2在延迟时间长还是存在不足，但凭着高频率的优势，DDR2-667系统的实际效能将明显超越DDR体系。内存厂商对DDR-2也表现出了乐观的态度。

DDR2产品生产情况

DDR2一统江湖的势头正在不断加强，各内存厂商也必须遵守市场规律，将战略重心倾向DDR2阵营，目前有很多厂商都开始大量生产DDR2内存。例如国内劲旅金士顿、黑金刚、威刚等品牌都非常看好并且力推DDR2内存。

如专业内存解决方案领导厂商Kingmax，在去年就推出了第一款DDR2内存Kingmax DDRII 533（如图5），Kingmax在DDR时代就已经成为亚洲市场实力强大的内存产品供应商之一，不仅在业界拥有着良好的口碑，而且也赢得了众多用户的一致好评，Kingmax全系列内存产品出厂前皆通过100%严格的测试过程并有原厂终身保固的品质保证。

DDR2内存规格有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667、DDR2-800四种型号。DDR2-400的频率低，性能差，已经退出了市场；而DDR2-800的价格与注定进入主流市场的进程还有好一段路。所以目前DDR2-533与DDR2-667是市场上的主流产品。在内存容量上，DDR2与DDR一样，同样拥有多种规格，常见的规格有256MB、512MB、1GB几种。

可以说，目前市场上的DDR2内存品种已经比较丰富，而且在价格上也已经向DDR看齐，甚至比DDR的价格更具优势。更重要的是，与DDR2配套的主板价格也相当诱人，可以说在Intel平台上，DDR2取代DDR的进程将会越来越快，不用过多久它终将遍布整个市场！

展望未来，DDR2的下一代接班人

出于兼容性的考虑，DDR2标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步。新一代的DDR3采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装（如图10）。DDR III内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。

从长远趋势来看，拥有单芯片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的，不过普及之路还相当遥远。乐观估计DDR3内存将在2007年上市（如图11），在那时候的芯片组以及业界发展具体形势不好预测，DDRIII的规格也可能在不断地演变，但是一个不变的真理，那就是DDR2一样也会被更新一代的内存所取代，至于这个取代过程有多久，谁也无法准确地预测出来。

DDR2与DDR的区别

与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。