lead tin telluride

分子式：Pbl-xSnxTe 0≤x≤1

三元固溶半导体材料。

为碲化铅和碲化锡的连续固溶体，氯化钠型结构，为直接带隙半导体。变换x值，可使其带隙由0变到0.22eV，非掺杂晶体如富金属则呈n型，富碲则呈p型，在碲化铅衬底上采用气相外延、分子束外延等方法制取。

主要用于制作红外激光器和探测器。