吴仲墀 1936年6月生，福建莆田县人。1964年复旦大学物理系毕业，留校在物理系半导体教研室任助教，1979年任讲师，1991年在材料科学系任副教授。现在国家微分析中心兼职。中国物理学会会员。1993年12月，访问美国纽约市哥伦比亚大学电机系。辅导《固体物理学》，主讲《半导体物理学》，负责《半导体物理实验》、《电子材料实验》、《电子材料测试与分析》等实验课。参加上海重大科学技术研究和新产品试制项目"大功率硅器件成品率与材料补偿度关系"，1988年9月，通过专家评审会评议审定(刊载《科学技术研究成果公报》1991年第一期)。完成《分子束外延生长材料 Inas1sbx/A1sb/GaAs输运特性的研究》(复旦大学自然科学基金项目)；现承担《低温 Ha11和 P1联合测试技术研究》等。参加高等学校教学参考书《半导体物理实验》编写与《半导体器件的核辐射加固》翻译。现参加《电子材料实验方法》编写。发表论文《硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响》、《表面粗糙样品吸收系数的测量研究理论》、《表面粗糙样品吸收系数的测量研究·硅片的实验结果》、《掺施主和受主的 GaP：N发光的热碎灭》等。