中国科学院副研究员

魏红祥，男， 1975 年生， 2007 年毕业于中国科学院物理研究所，获理学博士学位。 2007 年 7 月就职于中国科学院物理研究所 M02 组，现为副研究员。主要从事自旋电子学方面的基础研究和应用研究。

代表性工作

一、基于纳米磁性隧道结的新型磁随机存储器（MRAM）的设计与制备。

参与了课题组设计、制备传统的 MRAM 的全部过程。课题组设计制备的 MRAM 原理型器件全程基于国内力量，实现了 CMOS 的设计与制备、 CMOS 表面金属层的精细抛光 (CMP) 、磁性隧道结的集成与测试、样品的健合与封装、样品的性能测试等各个环节。测试结果表明主要技术参数均达到了设计指标。特别值得一提的是，在深入研究和制备传统的 MRAM 的过程中，与同事一起提出了新型的基于纳米环形磁性隧道结的新型 MRAM 。制备出直径为 100 纳米、壁宽为 25-30 纳米的圆环形磁性隧道结。这是目前为止壁宽最窄的圆环形磁性隧道结。实现了电流驱动，驱动电流小于 1 毫安。这一研究成果为高密度 MRAM 的开发提供了一条新的途径，获得了国际同行的高度评价。

二、高性能磁性隧道结的制备与研究。

通过优化工艺条件，利用本实验室的磁控溅射设备制备出磁电阻比值高达 80 ％的以氧化铝为势垒层的磁性隧道结。这一结果保持着目前以氧化铝为势垒层的磁性隧道结的最好结果。

三、纳米结构图形的设计、制备与研究。

利用聚焦离子束刻蚀 (FIB) 、电子束曝光 (EBL) 、化学反应刻蚀 (RIE) 、氩离子束刻蚀 (AIE) 等微加工设备制备出直径为 3 － 5 纳米的纳米接触。发展了一种新的利用氮化硅薄膜制备纳米接触的新方法。