非磁层为绝缘体或半导体的磁性多层膜即磁性隧道结. 这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层磁化强度的相对取向. 当此相对取向在外磁场的作用下发生改变时,可观测到大的隧穿磁电阻(TMR).
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