基本信息

简介

目录

基本信息

书名:微加工导论

出版社:电子工业出版社

定价:65

条形码:9787121019814

ISBN:ISBN 7-121-01981-7

作者:（芬兰）弗兰西拉著

印刷日期:2006-1-1

出版日期:2006-1-1

精装平装_开本_页数:平装16开,444页

简介

21世纪将是微电子技术及其相关产业持续发展的新世纪，本书从微加工角度出发，介绍了微加工的材料、基本工艺、结构、工艺集成、设备和制造等各个方面。其中材料部分包括了硅、薄膜材料及其制备工艺和结构，基本工艺部分包括了薄膜制备、外延、光刻、刻蚀、热氧化、扩散、离子注入、化学机械抛光（CMOS）、键合、浇铸和冲压等；结构部分包括了自对准结构、等离子体刻蚀结构、湿法刻蚀的硅结构、牺牲层结构和沉积的结构；工艺集成部分包括了互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管制造、双极技术、多层金属化和微机电系统（MEMS）等；设备部分包括了热工艺、真空和等离子体、化学气相沉积和外延等设备；本书还介绍了微加工技术涉及的净化室、成品率、晶圆厂、摩尔定律等。本书既介绍了微电子制造工艺技术，也涉及了微机电系统（MEMS）、微流体、微光学和纳米技术等领域。

本书将是学习微结构和微加工技术的电子工程、化学、机械、物理和材料科学等领域的一本优秀教材，可应用于微电子、微机电系统（MEMS）、光电子或相关新兴领域。

目录

第一部分 绪论

第1章 概述

1.1微加工学科分类

1.2基片

1.3材料

1.4表面和界面

1.5工艺

1.6横向尺度

1.7垂直尺寸

1.8器件

1.9金属氧化物半导体晶体管

1.10净化和成品率

1.11产业

1.12习题

参考文献与相关阅读材料

第2章 微测量和材料表征

2.1显微法和可视化

2.2横向和垂直尺寸

2.3电学测试

2.4物理和化学分析

2.5X射线衍射

2.6全反射X射线荧光

2.7二次离子质谱

2.8俄歇电子波谱法

2.9X射线光电子波谱法

2.10卢瑟福背散射能谱法

2.11电子微探针分析/能量分散X射线分析

2.12其他方法

2.13分析面积和深度

2.14微测试实用要点

2.15习题

参考文献与相关阅读材料

第3章 微加工工艺模拟

3.1模拟类型

3.2一维模拟

3.3二维模拟

3.4三维模拟

3.5习题

参考文献与相关阅读材料

第二部分 材料

第4章 硅

4.1硅材料性能

4.2硅的晶体生长

4.3硅的晶体结构

4.4硅切片工艺

4.5硅晶体中的缺陷和非理想状态

4.6习题

第5章 薄膜材料和工艺

5.1薄膜与块状材料

5.2物理气相沉积

5.3蒸发和分子束外延生长

5.4溅射

5.5化学气相沉积

5.6其他沉积方法

5.7金属薄膜

5.8介电薄膜

5.9介电薄膜的性能

5.10多晶硅

5.11硅化物

5.12习题

参考文献与相关阅读材料

第6章 外延

6.1异质外延

6.2硅的CVD同质外延

6.3外延的模拟

6.4外延的先进应用

6.5习题

参考文献和相关阅读材料

第7章 薄膜生长和结构

7.1薄膜工艺的一般特征

7.2PVD膜的生长和结构

7.3CVD膜的生长和结构

7.4表面和界面

7.5黏附层和阻挡层

7.6多层膜

7.7应力

7.8薄膜上方形貌:台阶覆盖

7.9薄膜沉积的模拟

7.10习题

参考文献与相关阅读材料

第三部分 基 本 工 艺

第8章 图形发生器

8.1粒子束刻蚀法

8.2电子束的物理特性

8.3掩模版的制造

8.4将掩模版作为工具

8.5掩模版检查、缺陷和修复

8.6习题

参考文献与相关阅读材料

第9章 光刻

9.1光刻设备（对准和曝光）

9.2分辨率

9.3基本图形形状

9.4对准和套准

9.5习题

参考文献与相关阅读材料

第10章 光刻图形化

10.1光刻胶的应用

10.2光刻胶化学

10.3光刻胶薄膜光学

10.4光学光刻延伸技术

10.5光学光刻模拟

10.6光刻的实践

10.7光刻胶去胶或灰化

10.8习题

参考文献与相关阅读材料

第11章 刻蚀

11.1湿法刻蚀

11.2电化学刻蚀

11.3各向异性湿法刻蚀

11.4等离子体刻蚀

11.5刻蚀工艺表征

11.6常用材料的刻蚀工艺

11.7刻蚀时间和边墙

11.8湿法刻蚀、各向异性湿法刻蚀以及等离子体刻蚀的比较

11.9习题

参考文献与相关阅读材料

第12章 晶圆片清洗和表面预处理

12.1杂质的形式

12.2湿法清洗

12.3颗粒污染

12.4有机杂质

12.5金属杂质

12.6冲洗和烘干

12.7物理清洗法

12.8习题

参考文献与相关阅读材料

第13章 热氧化

13.1氧化过程

13.2迪尔-格罗夫（Deal-Grove）氧化模型

13.3氧化物的结构

13.4氧化过程的模拟

13.5硅的局部氧化

13.6氧化时应力和图形的影响

13.7习题

参考文献与相关阅读材料

第14章 扩散

14.1扩散机理

14.2扩散时的掺杂剖面形貌

14.3扩散模拟

14.4扩散应用

14.5习题

参考文献与相关阅读材料

第15章 离子注入

15.1注入工艺

15.2注入损伤和损伤退火

15.3离子注入模拟

15.4离子注入的工具

15.5SIMOX:通过离子注入来制造绝缘体上的硅

15.6习题

参考文献与相关阅读材料

第16章 化学机械抛光

16.1CMP工艺和设备

16.2CMP的力学

16.3CMP的化学

16.4CMP的应用

16.5CMP控制测量

16.6CMP中的非理想情况

16.7习题

参考文献与相关阅读材料

第17章 键合和图层转移

17.1硅熔融键合

17.2阳极键合

17.3其他键合技术

17.4键合力学

17.5结构化晶圆片的键合

17.6SOI晶圆片工厂中的键合

17.7图层转移

17.8习题

参考文献与相关阅读材料

第18章 浇铸和压印

18.1铸造

18.2二维表面压印

18.3三维体压印

18.4与光刻的比较

18.5习题

参考文献与相关阅读材料

第四部分 结构

第19章 自对准结构

19.1MOS栅模块

19.2自对准双阱

19.3边墙与自对准硅化物

19.4自对准结

19.5习题

参考文献与相关阅读材料

第20章 等离子体刻蚀结构

20.1多步刻蚀

20.2多层刻蚀

20.3刻蚀中的光刻胶效应

20.4无掩膜的刻蚀

20.5图形尺寸和图形密度效应

20.6刻蚀残留和损伤

20.7习题

参考文献与相关阅读材料

第21章 湿法刻蚀的硅结构

21.1<100>硅基片的基本结构

21.2刻蚀剂

21.3刻蚀掩膜和保护层

21.4刻蚀速率与刻蚀自动终止

21.5隔膜的制备

21.6在<100>硅片上的刻蚀形成具有复杂形状的结构

21.7硅片正面的体微加工

21.8边角补偿

21.9<110>硅片的刻蚀

21.10<111>硅片的刻蚀

21.11<100>硅、<110>硅与<111>硅湿法刻蚀的比较

21.12习题

参考文献与相关阅读材料

第22章 牺牲层与释放型结构

22.1结构层与牺牲层

22.2单结构层

22.3黏滞

22.4双结构层工艺

22.5旋转结构

22.6绞链结构

22.7使用多孔硅的牺牲层结构

22.8习题

参考文献与相关阅读材料

第23章 沉积结构

23.1电镀结构

23.2剥离金属化

23.3特殊沉积的应用

23.4局部沉积

23.5腔穴的密封

23.6习题

参考文献与相关阅读材料

第五部分 集成

第24章 工艺集成

24.1太阳能电池的工艺集成

24.2晶圆片的选择

24.3图形

24.4设计规则

24.5污染预算

24.6热工艺

24.7热预算

24.8金属化

24.9可靠性

24.10习题

参考文献与相关阅读材料

第25章 CMOS晶体管制造

25.15μm多晶硅栅CMOS工艺

25.2MOS晶体管的按比例缩小

25.3先进CMOS的问题

25.4栅模块

25.5与硅的接触

25.6习题

参考文献与相关阅读材料

第26章 双极工艺技术

26.1SBC双极型晶体管的加工工艺

26.2先进双极结构

26.3BiCMOS工艺技术

26.4习题

参考文献与相关阅读材料

第27章 多层金属布线

27.1双层金属布线

27.2多层金属布线

27.3大马士革金属布线（镶嵌金属布线）

27.4金属布线的按比例缩小

27.5铜金属布线

27.6低电介质材料

27.7习题

参考文献与相关阅读材料

第28章 MEMS工艺集成

28.1双面加工工艺

28.2隔膜结构

28.3硅穿孔结构

28.4在相当不平表面上的图形化

28.5DRIE与各向异性湿法刻蚀

28.6IC-MEMS集成

28.7习题

参考文献与相关阅读材料

第29章 基于非硅基底的工艺技术

29.1基底

29.2薄膜晶体管

29.3习题

参考文献与相关阅读材料

第六部分 设备

第30章 微加工设备

30.1批处理工艺与单晶圆工艺

30.2设备的性能因素

30.3设备的生命周期

30.4工艺状态:温度-压力

30.5工艺设备的仿真

30.6加工工艺的测量

30.7习题

参考文献与相关阅读材料

第31章 热处理设备

31.1高温设备:热壁设备与冷壁设备

31.2炉管工艺

31.3快速热处理/快速热退火

31.4习题

参考文献与相关阅读材料

第32章 真空和等离子体

32.1真空薄膜的相互作用

32.2真空的获得

32.3等离子体刻蚀

32.4溅射

32.5PECVD

32.6滞留时间

32.7习题

参考文献与相关阅读材料

第33章 化学气相沉积和外延设备

33.1CVD沉积速率模型

33.2CVD反应腔室

33.3原子层沉积

33.4MOCVD

33.5硅CVD外延

33.6外延反应器

33.7习题

参考文献与相关阅读材料

第34章 集成式工艺

34.1周围环境的控制

34.2干法清洗

34.3集成式设备

34.4习题

参考文献与相关阅读材料

第七部分 制造

第35章 净化室

35.1净化室的标准

35.2净化室子系统

35.3环境、安全和健康（ESH）方面

35.4习题

参考文献与相关阅读材料

第36章 成品率

36.1成品率模型

36.2工艺步骤的影响

36.3成品率的上升

36.4习题

参考文献与相关阅读材料

第37章 晶圆加工厂

37.1集成电路制造的发展史

37.2制造趋势

37.3循环时间

37.4所有者成本

37.5硅工艺的成本

37.6习题

参考文献与相关阅读材料

第八部分 未 来 趋 势

第38章 摩尔定律

38.1从晶体管到集成电路

38.2摩尔定律

38.3延伸的光刻技术:相移掩模版

38.4可供选择的光刻方法

38.5功能和应用的限制

38.6集成电路产业

38.7习题

参考文献与相关阅读材料

第39章 微加工概要

39.1新材料

39.2高深宽比结构

39.3微加工设备

39.4键合和层转移

39.5器件

39.6微加工工业

39.7习题

参考文献与相关阅读材料

附录A部分习题的注释与提示

附录B常量和转换系数

索引