词条 | 快速退火工艺 |
释义 | 退火工艺简介退火:往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。 快速退火工艺简介RTP(Rapid Thermal Processing)快速热处理,是在非常短的时间内将整个硅片加热至400~1300℃湿度范围内的一种方法,相对于炉管退火,它具有热预算少,硅中杂质运动小,玷污小和加工时间短等特点。 快速退火炉设备台湾快速退火炉分为科研型和生产型,科研型快速退火炉e1200、CT100M、CT150M三种型号系统专用于科学研究。适用于Si, Ge, Si/Ge, GaAs, InP及其他半导体材料的热处理工艺。 技术特点多重灯管设计以保证温度均匀 实时闭环温度控制方式 实时灯丝电流监测以保证工艺稳定可靠性 安全监测,包括热偶测温检测、过热检测、灯丝电流检测 中英文用户操作界面,使用非常简便 软件全自动控制工艺过程,操作简单,包括用户分级使用权限管理 菜单编辑、工艺数据记录/查找、报警/报错、用户状态等功能 快速退火炉应用领域离子注入后退火/活化 金属合金化,砷化稼电极合金化 磷硅酸盐玻璃/硼磷玻璃回流 沟道氧化 栅介质形成 多晶硅退火 钛硅化物/硅化物/氮化物退火铜铟镓硒光伏应用中的硒沉积 |
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