结型场效应管可变电阻区

类似于晶体三极管的饱和区。VGS不同对应不同的电阻，且受VGS控制。VGS一定时， VDS的变化直接影响着ID的变化，相当于一个受控电阻，阻值的大小与VGS相关。

当uDS很小，|uDS-uGS|<|UGSoff|时，即预夹断前，uDS的变化直接影响整个沟道的电场强度，从而影响iD的大小。所以在此区域，随着uDS的增大，iD增大很快。与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大，随着|UGS|增大，曲线斜率变小，说明JFET的输出电阻变大。