词条 | 高密度存储器 |
释义 | 高密度存储器-定义一动态随机存取存储器(DRAM)集成电路,包含一确定在一半导体基板内的凹陷区域。此凹陷区域具有自一底面延伸的基本上垂直的边侧。一场效三极管经确定以邻接于该凹陷区域。一包含有下电容器板、电容介电体及上电容器板的电容器结构,确定在该凹陷区域中、该场效三极管上方,借此提供较大的电容器表面。 高密度存储器-特性一种存储器装置,该装置包括:一半导体基板,包含一凹陷区域,该凸陷区域具有由一底面延伸的侧边;一场效三极管,该 场效三极管包括一邻接于该凹陷区域的源/汲极区域;一绝缘 层,覆盖在该凹陷区域上;一下电容器板,覆盖在该绝缘层上 ,并位于一部分该场效三极管上方,该下电容器板连接至该源 /汲源区域;一电容器介电体,覆介该下电容器板上;及一上电容器板,覆盖在该介电层上。 |
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