浮栅雪崩注入MOS器件（Floating gate Avalanche-injection MOS，FAMOS）：这是一种浮置栅结构的存储器件。

FAMOS一般采用p-MOSFET结构, 只是增加一个多晶硅浮栅；该浮栅被优质SiO2包围之，以很好保存电荷。器件工作的常态为截止状态 (无沟道)，当源-漏电压Vds足够大 (如-30V) 时, 漏结将发生雪崩倍增效应而产生出大量的电子-空穴对；其中空穴进入衬底, 而部分高能电子可越过势垒注入浮栅；当浮栅所带的负电荷足够多时, 即使得半导体表面反型而形成沟道, 从而使MOS器件导通。这就是说, 器件开始时是截止的, 发生雪崩注入后才导通（据此即可检测浮栅中存储的信号）。存储在浮栅中的电子可用紫外光照射来释放 (因浮栅中的电子在吸收光子后可越过势垒进入SiO2层, 然后再进入衬底而释放掉)，因此FAMOS是一种可存储、可擦除信号的器件。如果在浮栅之上再增加一个栅极，即可简单地实现电擦除。