简介

原理

简介

温度较低、电压作用时间较短时，纯净、均匀固体电介质由绝缘状态突变为良导电状态的过程。本征击穿过程所需时间为10-8s数量级，本征击穿场强大于1MW/cm，本征击穿反映了固体电介质本身固有的电气强度。

原理

在汇集实验数据的基础上，提出了对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达式。根据半导体与绝缘体本征击穿电场规律的不同，首次有依据地提出了用禁带宽度Eg值对材料进行明确统一分类的定量判据：击穿场判据。给出了直接用禁带宽度Eg表示的半导材料的各种简化优质系数表达式。基于文章提出的关系式，计算了多种重要的二元化合物半导体及高k栅介质的本征击穿电场预期值。

在深亚微米技术中，静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。

当器件受到电流注入影响时，器件的功率耗散导致了内部温度的增加。假如器件参数变化不受电热效应影响，而只受焦耳效应影响，内部温度将接近半导体材料的熔点。但事实上，热击穿是发生在低于熔点的温度。一个ＮＭＯＳ晶体管的Ｉ-Ｖ曲线如图１所示，其中漏和源有电流注入，栅和衬底接０电位。对于晶体管这个击穿被定义为二次击穿，区别于发生在较低电流注入时的雪崩击穿。