VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），垂直双扩散MOS晶体管：

与横向扩散MOSFET（LDMOSFET）一样，这也是功率MOSFET的一种基本结构（见左图示）。

其优点是：比LDMOSFET占用的面积小, 相应频率特性也得以改善；沟道长度L与光刻精度无关, 则可使L减短；n漂移区使S-D不容易穿通, 则耐压提高；可多个单元并联, 使电流容量增大；采用六角形分布的图形 (HEXFET，见右图示), 可使沟道宽度增大, 导通电阻降低；工艺上也与LSI多晶硅技术相容。

其缺点是：从工作原理上, VDMOSFET实际上就等于MOSFET加上JFET, 而n漂移区相当于JFET的沟道, 因此n漂移区的宽度和掺杂浓度对器件性能的影响较大；因为n漂移区的电阻率较高 (无电导调变), 而且p区下面有的部分未导电, 故导通电阻仍然比较大, 影响输出功率；p-n结的耐压以及表面击穿对器件的影响较大。

若把VDMOSFET漏极的n区改换为p区, 则就成为了垂直导电的IGBT, 这是有两种载流子工作的器件，具有电导调变效应，则它具有较小的导通电阻，但是开关速度却有所降低。