简介

原理

优势

简介

穿透硅通孔技术，一般简称硅通孔技术，英文缩写为TSV(through silicon via)。

它是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于硅通孔技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，可以有效地实现这种3D芯片层叠，制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的芯片，成为了目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。

原理

如下图芯片和存储器件垂直地堆叠起来。这样所获得的“三明治”结构能够降低总的芯片封装尺寸，并加快芯片不同功能之间的数据流传输速度。

优势

①缩小封装尺寸；

②高频特性出色，减小传输延时、降低噪声；

③降低芯片功耗，据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%；

④热膨胀可靠性高。