| 词条 | 陈敦军 |
| 释义 | 基本信息陈敦军 男，1969.10，博导，教授 个人简历1987-2001年就读于西北工业大学材料科学与工程系，并获博士学位，现为南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。2006年-2007年受哈佛大学GSAS资助在其工程与应用科学学院做邀请访问学者。2005年入选“教育部新世纪优秀人才计划”，2008年被评为南京大学中青年优秀学术带头人。 研究方向目前主要从事GaN基光电子探测器/传感器结构设计与器件工艺和物理、GaN基太阳电池材料与器件结构设计及器件制备、GaN基异质结构设计与表征及其微波功率器件可靠性、新型低维半导体结构与器件等方面的研究。 主要课程低维半导体物理与器件 代表成果D. J. Chen, B. Liu, H. Lu, Z. L. Xie, R. Zhang, Y. D. Zheng, Improved performances of InGaN schottky photodetectors by inducing a thin insulator layer and mesa process, IEEE Electron Device Lett. 30: 605 (2009). D. J. Chen, J .J. Xue, B. Liu, H. Lu, Z. L. Xie, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, Observation of hole accumulation at the interface of an undoped InGaN/GaN heterostructure, Appl. Phys. Lett. 95: 012112 (2009). D. J. Chen, Y. Q. Tao, C. Chen, B. Shen, R. Zhang, Y. D. Zheng, Z. H. Li, G. Jiao, T. S. Chen, Improved transport properties of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures by AlN surface passivation layer. Appl. Phys. Lett. 89: 252104 (2006). D. J. Chen, B. Shen, X. S. Wu, R. Zhang, Y. D. Zheng, High-temperature characteristics of strain in AlxGa1-xN/GaN heterostructures with and without Si3N4 passivation layer, Appl. Phys. Lett. 88: 102106 (2006). Y. Huang，D. J. Chen*, H. Lu, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, Photocurrent Characteristics of Two Dimensional Electron Gas Based AlGaN/GaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors, Appl. Phys. Lett. 96:243503 (2010). |
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