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词条 表面牺牲层技术
释义

所谓“表面牺牲层”技术,即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中,先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件,再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉,但不损伤微结构件,然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用,故称其为牺牲层(sacrificial 1ayer,厚度约1-2μm)。常用的结构材料有多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅和金属等,常用牺牲层材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻胶。利用牺牲层可制造出多种活动的微结构,如微型桥、悬臂梁及悬臂块等,此外常被用来制作敏感元件和执行元件,如谐振式微型压力传感器、谐振式微型陀螺、微型加速度计及微型马达、各种制动器等。

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更新时间:2025/3/4 19:05:18