凹沟MOSFET（Recessed-channel MOSFET ）：

见图示，这种结构的MOSFET就是把栅极设置在刻蚀出来的凹沟里。

这种MOSFET的优点在于使等效的源和漏的结深减小，短沟道效应得以减弱。

这种结构的缺点在于：对阈值电压的控制比较困难（因为阈值电压主要决定于A和B点处的形状和层的厚度)，而且热电子注入到SiO2中的可能性增加了（热电子效应导致的失效率增大）。