SAMOS（Superpose-avalanche-injection MOS）器件，即为叠栅雪崩注入MOS器件，它的结构如图所示。

它这与FAMOS一样，也是一种利用雪崩注入的存储器件。其结构实际上就是在FAMOS的浮栅之上的SiO2层表面上, 再加上一个控制栅而构成的。它在工作时，常态亦为截止状态 (无沟道)；当增大Vds使漏结发生雪崩击穿时，可在控制栅上加一正电压以加

强电子往浮栅的注入，则可在较低的Vds电压下、注入较多的电荷到浮栅中而使器件导通。因此, SAMOS的工作电压较低。SAMOS浮栅中的电子, 可通过在控制栅上加较大的偏压迫使它们通过外栅释放出来，从而可实现电擦除。