词条 | IRLR8503 |
释义 | 基本参数:类别:分离式半导体产品 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44A 功率 - 最大:62W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片) 包装:管件 供应商设备封装:D-Pak |
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