词条 | IRGP50B60PD1 |
释义 | 基本参数:描 述:IGBT N-CH 600V 75A TO-247AD 封装:TO-247 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型: N沟道 导电方式:增强型 用途: L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料 :N-FET硅N沟道 开启电压 :600(V)(V) 夹断电压 :2(V)(V) 低频跨导 :220(μS) 极间电容 :2480(pF) 低频噪声系数 :0(dB)(dB) 最大漏极电流 :33(mA)(mA) 最大耗散功率:390(mW) 静态功耗 :12.5(mW) 工作温度 :-40~125(℃) IGBT类型 :NPT 电压-集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开) :2.85V @ 15V, 50A 电流-集电极(Ic)(最大) :75A 功率-最大 :390W 输入类型 : 标准型 安装类型 : 通孔 包装 : 管件 价格分析:近期所报参考价一般区间为19.8-25.00元/PCS。量少零售参考价格为25.00元/pcs,1000pcs以上参考价格为19.80元/pcs。部分商家最低报价有9.00元。 |
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