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晶体管极性:P
漏极电流, Id最大值:-23A
电压, Vds最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.117ohm
电压@ Rds测量:10V
电压, Vgs最高:25V
功耗:3.1W
P沟道栅极电荷Qg:97nC
功率, Pd:140W
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds:100V
电压, Vds典型值:100V
电容值, Ciss典型值:1300pF
电流, Id连续:23A
电流, Idm脉冲:76A
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:11A
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