基本参数：

晶体管极性:P

漏极电流, Id最大值:-23A

电压, Vds最大:100V

开态电阻, Rds(on):0.117ohm

电压@ Rds测量:10V

电压, Vgs最高:25V

功耗:3.1W

P沟道栅极电荷Qg:97nC

功率, Pd:140W

晶体管类型:MOSFET

电压, Vds:100V

电压, Vds典型值:100V

电容值, Ciss典型值:1300pF

电流, Id连续:23A

电流, Idm脉冲:76A

表面安装器件:通孔安装

重复雪崩电流, Iar:11A