IRF740概述：

IRF740特性：

IRF740参数：

IRF740概述：

IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

新系列的低电荷Power MOSFET IRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF740LC减少了转换损耗，效能得到强化。

TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。

IRF740特性：

动态dv/dt率

可恢复性雪崩测定

快速转换速率

并行简易

仅需简单驱动

贴片安装 - IRF740S、IRF740AS

可选卷带包装 - IRF740S、IRF740AS

超低栅电荷 - IRF740LC

增强VGS等级 30 V - IRF740LC

极高工作频率 - IRF740LC

无铅环保

IRF740参数：

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:8.7A

电压, Vgs 最大:20V

开态电阻, Rds(on):0.022ohm

电压 @ Rds测量:4.5V

电压, Vds 最高:700mV

功耗:2.5W

封装类型:SOIC

针脚数:8

SMD标号:F7401

功率, Pd:2.5W

外宽:4.05mm

外部深度:5.2mm

外部长度/高度:1.75mm

封装类型:SOIC

排距:6.3mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

表面安装器件:表面安装