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词条 IRF630
释义

基本参数:

晶体管极性:N

漏极电流, Id 最大值:9A

电压, Vds 最大:200V

开态电阻, Rds(on):0.4ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:3V

功耗:100W

封装类型:TO-220

针脚数:3

功率, Pd:100W

封装类型, 替代:SOT-78B

引脚节距:2.54mm

时间, trr 典型值:170ns

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

电容值, Ciss 典型值:540pF

电流, Idm 脉冲:36A

表面安装器件:通孔安装

针脚格式:1G 2+插口 D 3S

阈值电压, Vgs th 最低:2V

阈值电压, Vgs th 最高:4V

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更新时间:2024/12/23 19:18:34