基本参数：

类别：分离式半导体产品

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 50µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1200pF @ 25V

功率 - 最大：100W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：TO-252