基本信息：

晶体管类型:IGBT

集电极直流电流:50A

饱和电压, Vce sat 最大:2.5V

最大功耗:312W

电压, Vceo:1200V

工作温度范围:-55°C to +150°C

封装类型:TO-3P

上升时间:50ns

功率, Pd:312W

功耗:312W

封装类型:TO-3P

晶体管极性:NPN

最大连续电流, Ic:50A

电压, Vces:1200V

电流, Ic @ Vce饱和:25A

电流, Icm 脉冲:75A

表面安装器件:通孔安装