制作工艺：半导体集成
处理信号：模拟信号
导电类型：双极型
集成程度：小规模
工作温度：-40~85（℃）
制作工艺：膜集成
规格尺寸：1（mm）
静态功耗：1（mW）
频率特性:高频
结构:面接触型
材料:硅(Si)
极性:PNP型
功率特性:中功率
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