简介

锂漂移硅检测器原理

简介

锂漂移硅检测器，即Si(Li)探测器，是由锂向硅中漂移制作而成。锂的数量有极严格的要求，而且要求分布均匀在室温时由于锂的迁移率很高，会逐步发生反向漂移，使探测器性能下降。用液氮冷却是为了防止锂的反漂移。使探测器具有最佳的信噪比。此探测器的窗口法兰等结合部多少有些微小漏气，这些气体由置于探测器内的分子筛吸附，以便保持探测器内部的高真空。分子筛的特点是室温时放气，低温时吸气，这是使用液氮的又一原因。保持冷却可产生好的检出限。

锂漂移硅检测器原理

当光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的空穴对的数目N=△E/ε。入射X射线光子的能量越高，N就越大。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对，经过前置放大器转换成电流脉冲，电流脉冲的高度取决于N的大小。电流脉冲经过主放大器转换成电压脉冲进入多道脉冲高度分析器，脉冲高度分析器按高度把脉冲分类进行计数，这样就可以描出一张X射线按能量大小分布的图谱。