| 词条 | 曾祥华 |
| 释义 | 个人简介曾祥华，教授，博士,硕士生导师，扬州大学物理科学与技术学院院长，微电子学与固体电子学学科负责人，江苏省半导体照明产业技术创新战略联盟副理事长 。 个人经历1983.8-1987.6，兰州大学数学系计算数学专业获理学学士。 1990.8-1994.2，中科院近代物理研究所获原子核物理专业硕士学位。 1996.8-1999.6，中科院近代物理研究所获粒子物理与核物理专业博士学位。 1987-1999，中国科学院近代物理研究所助研、副研究员。 1997.10-1998.10,德国慕尼黑技术大学、德国重离子研究所访问学者。 2004.元月－2004.4, 多伦多大学高级纳米技术中心合作研究（Energenius Centre for Advanced Nanotechnology,Toronto University）。 1999.7-至今，扬州大学副教授，教授，2002年任职扬州大学物理科学与技术学院副院长。2001年扬州大学优秀青年骨干教师；2004年“扬州大学新世纪学术带头人”称号。江苏省核学会理事。指导崔磊的硕士论文“用TDDFT方法模拟氢原子、氢分子和氮分子高次谐波的产生”获得2008年江苏省优秀硕士论文。 主要研究领域大功率半导体发光二极管的应用设计；GaN辐照效应及失效机理研究；ZnS粉末和薄膜的制备及辐照效应研究。 已有的研究工作① 载流子输运特性与电极形状的关系 发光二极管LED（AlGaInP、GaN）的电流扩散层中的载流子输运特性与电极形状的关系，以及工艺改进。LED的光电转换效率(发光效率)是由内部量子效率和外部量子效率共同决定。外部量子效率受到的诸多因素的影响，例如LED的结构、电极的形状、材料的选择、窗口层的厚度等等，使得外部量子效率的提高成为LED发光效率提高的主导因素之一；内部量子效率受限于材料本身的性质（载流子浓度，缺陷、搀杂等）。研究得到了提高LED的外部量子效率的电极最佳设计。《物理学报》2008，《发光学报》、《半导体技术》2009。 ②量子器件的设计 由几十个纳米直径组成的多壁纳米碳管具有理想的低摩擦、低磨损的特征，并且将纳米碳管组装成纳米级的轴承，用纳米碳管构造千兆赫(Gigahertz，GHz)纳米振荡器是微器件设计中的一种新的尝试。利用分子动力学研究了高频纳米振荡器的可能性。相关结果发表在J.Phys.Chem.B 2006，110。 ③ 激光与原子、分子相互作用 随着强激光技术的发展，激光与原子分子相互作用的研究已经成为物理学中一个热点。我们研究原子、分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波产生现象，即高阶谐振谱具有“下降－平台－截止”的结构和偶次谐振被禁闭仅出现奇次谐振的选择性特征。进一步研究了激光脉冲偏振方向对氮分子高次谐波的影响。研究结果很好地解释了实验现象。相关结果发表在Appl.Phys.Lett.2006。 拥有专利技术1）“树形GaN基LED芯片电极”，申请人：扬州大学，实用新型专利受理号：200820039405.6。 2）“旋转形GaN基LED芯片电极”，申请人：扬州大学，实用新型专利受理号：200820039406.0。 3） “中心环绕形GaN基LED芯片电极”，申请人：扬州大学，实用新型专利受理号：200820039407.5。 研究成果《Oscillatory behavior of rare-gas atoms in SWCNT》，J. Phys. Chem.B 110, 17329-17333，2006年 《Effect of different laser polarizationdirection on high order harmonic generation of N2 and H2》，Appl. Phys.Lett.89, 211103，2006年 《Melting and Glass Transition for Ni Clusters》，J. Phys. Chem. B 111,2309-2312，2007年 《he dynamics simulation of Ne atom injected into single-wall carbon nanotube》，Physics Letters A372，1303-1307，2008年 《Influence of quantum effects on Giant Magnetoresistance for Multilayer Structures》，J.Appl. Phys.94, 507-513，2003年 《Decoherence Free in Subspace Using Na@C_60 As Quantum Qubit》，Phys. Lett. A，2003年 《AlGaInP LED出光效率的模拟研究》，发光学报，第30卷第2期，2009年 《GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善》，半导体技术，第5期，2009年 《电极形状的优化》，物理学报，57，5881-5886，2008年 《高压下ZnSe的电子结构和光学性质》，物理学报，第57，3753-07，2008年 |
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