基本信息

器件特性

基本信息

存储器类别：EEPROM

工艺:低功耗CMOS

电源电压宽:1.8 V~6.0V

存储器位数：16位

存储器容量：1K

写入时自动清除存储器内容

硬件和软件写保护

慢上电写保护

1,000,000 次写入/擦除周期

200年数据保存寿命

工业级和汽车级温度范围

封装：PDIP－8，SOIC－8，MSOP－8,SOT-23－6,DFN－8，TSSOP－8

器件特性

高速度操作

1MHz

低功耗工艺

电源电压宽1.8 伏到6.0伏

存储器可选择8 位或者16位结构

写入时自动清除存储器内容

硬件和软件写保护

慢上电写保护

1,000,000次写入/擦除周期

100年数据保存寿命

商业级工业级和汽车级温度范围

连续读操作除93C46 外

写入允许引脚PE (只有93C86有)