中国科学院微电子研究所研究员

人物简介

徐秋霞 1942年出生，浙江省余姚市人。中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，中国科学院研究生院教授。中国科学院微电子研究所学术委员会和学位委员会委员。多次被评为先进工作者, 享受国务院颁发的政府特殊津贴。目前从事下一代集成电路新技术、新结构和新材料的研究及其器件应用。Senior Member of IEEE。

1966年毕业于浙江大学无线电系半导体材料与器件制造专业；1996年5月—10月作为高级访问学者与美国加州大学伯克莱分校Chenming Hu教授合作研究成功应用于0.2µm CMOS技术的Ti-硅化物工艺技术；1997年至2000年承担国家九五重大科技攻关专题 “0.1微米级CMOS器件结构及性能研究”，为专题负责人，取得创新性重大成果，在国内率先研制成功性能优良的70纳米CMOS器件及栅长为100纳米的57级CMOS环形振荡器电路，器件性能和环形振荡器速度达到当时国际上同类工艺技术的先进水平。研究开发了8项新颖的、具有实用价值的工艺模块，并在关键技术突破的基础上在国内首次研制成功了性能优良的栅长 27纳米 CMOS器件和CMOS 32分频器电路，研制完成的栅长 27纳米CMOS器件在指标方面已与国际同类先进研究成果具有同步性。该项目获2004年北京市科学技术一等奖。并获2005年国家技术发明二等奖。从1979年到现在，共获得中科院科技进步奖11次，其中3次为一等奖，获国家科技进步二等奖和国家技术发明二等奖各一次，获北京市科学技术一等奖和二等奖各一次。在国内外一级学术刊物及国内外学术会议上共发表论文90余篇。以第一发明人申请发明专利11项，均被受理，其中6项发明专利己获授权。作为合作发明人申请发明专利7项，其中1项发明专利己获授权。

承担科研项目情况

(1)1978年至1983年作为主要技术骨干，分别参与国家科技攻关项目NMOS 4K DRAM、16K DRAM和64K DRAM研制。

(2)1983年底至1985年作为访问学者，在西德佛朗霍夫固体技术研究所从事SOI MOS工艺及器件研究。

(3)1986年至1990年为项目负责人，承担院重大科技项目“1-1.5μm新工艺和新器件结构的探索性研究”。

(4)1989年作为室技术副主任，副研究员，负责开发“VDMOS功率器件生产技术和系列产品开发”。

(5)1991年至1994年，研究员，室主任，负责包括双极、CMOS、BiCMOS、VDMOS和传感器等多种技术的生产线的开发。

(6)1994年至1996年，研究员，攀登计划课题负责人, 负责”真空微电子器件研究”。

(7)1994年至1996年，研究员，作为主要技术骨干，在国家八·五重大科技攻关项目中负责关键技术及集成技术研究。

(8)1996年5月—10月作为高级访问学者与美国加州大学伯克莱分校Chenming Hu教授合作研究应用于0.2µm CMOS技术的硅化物工艺技术。

(9)1997年至2000年 “九·五”期间，研究员，作为专题负责人，负责国家九·五重大科技攻关专题 “0.1微米级CMOS器件结构及性能研究”；同时负责国家九·五重大科技攻关专题中0.18—0.25微米CMOS 集成技术研究及其实用电路研制。

(10)2001年至2005年“十五”期间，研究员，为多课题负责人，负责“973”国家重点基础研究 课题“亚50纳米器件的关键工艺技术基础研究和器件制备”及“863”课题“0.09微米集成电路大生产工艺与可制造性技术研究”的子课题“0.07微米CMOS关键技术及器件研究”和3项国家自然科学基金项目：1） “0.1µm难熔金属栅CMOS器件的研究”； 2） “凹槽自对准双栅MOS器件研究”；3）“纳米级自对准双栅MOS器件结构和工艺研究”。

(11)2006年-现在，研究员，为多课题负责人：负责“973”国家重点基础研究 课题“新一代集成技术基础问题研究”和2项国家自然科学基金项目：1）“亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究”； 2）“高k栅介质/双金属栅器件研究及制备”。还有一项院奖励创新课题和一项所基金课题。