肖特基箝位晶体管，Schottky control transistor （SCT）：

（1）基本概念：

SCT是在n-p-n晶体管的基极与集电极之间加接有一个SBD（Schottky 势垒二极管）的BJT（见图示）。其优点就是使得当BJT进入饱和状态时，其集电结电压Vbc被箝位在SBD的导通电压（≈0.45V）上，从而避免了BJT进入深饱和状态，减小了超量少子存储电荷，则可减短BJT开关过程中的存储时间（可缩短1个数量级），导致集成电路中的信号传输延迟时间大大减短（延迟时间可降低到2~4ns，延迟时间与功耗的乘积大约可降低一半），结果可提高集成电路的工作速度。SCT是制作高速数字集成电路的基本器件。

（2）SCT工作的特点：

对于TTL中的n-p-n-BJT，采用SCT来代替，可较好地解决开、关速度对基极电流Ib大小要求上的矛盾（快速导通要求Ib大，即要基区电荷存储多；而快速关断要求Ib小，即要电荷存储少）。

1）当Vbc＜0（即SCT处在正向放大态或截止态）时，SBD反偏而可以忽略其影响。

2）当Vbc＞0（即SCT处在反向放大态或饱和态）时：①如果Vbc低于SBD的导通电压，则SBD不对晶体管的Ib起分流作用；②如果Vbc高于SBD的导通电压，则SBD将对晶体管的Ib起分流作用，并且Vbc被箝位在0.45V，则阻止了BJT进入深饱和，可提高其工作速度。

（3）SCT应用举例：

在传输延迟时间与功耗的乘积一定时，采用SCT可设计两种TTL电路：a）保持功耗不变，使传输延迟时间减短——高速TTL（STTL）；b）保持传输延迟时间不变，使功耗降低——中速低功耗TTL（LSTTL）。

（4）SCT的缺点：

① SBD的接入使得BJT的饱和压降升高；② 使得BJT的反向漏电流增大；③ 使工艺要求提高（对于Si的表面处理和金属化工艺要求很高，而且重复性和可靠 性较差）等。