吴惠桢，男，1959年出生于浙江省东阳市，1982年杭州大学物理系本科毕业，1991～1995英国曼彻斯特大学理工学院（UMIST）留学，1995年获得UMIST半导体物理专业博士学位，1998年美国俄克拉荷马大学电子工程系作博士后研究，1999年起任浙江大学物理系教授、博士生导师，2000、2001年美国俄克拉荷马大学电子工程系和物理系做高级研究员，1999年入选浙江省‘151人才计划'，2002年入选中国科学院‘百人计划'专家。

现任浙江大学电子与无线电物理研究所所长，中国仪器仪表学会仪表材料学会理事，《红外与毫米波学报》编委。

研究方向：

半导体低维结构与器件物理

主要研究课题：

(1) IV－VI族半导体低维结构（包括量子阱、超晶格和量子点）的分子束外延、光学、电学和磁学特性及其光电子器件研究。 主持着国家自然科学基金重点项目 1 项，项目名称： IV-VI 族半导体低维结构的光、电、磁学特性及其中红外激光器研究（ 2005 年 1 月— 2008 年 12 月）。

(2) ZnO 基微结构材料的制备、物理特性及其在微纳电子、光电子器件中的应用研究。主持着国家自然科学基金面上项目 1 项，项目名称： ZnO 晶体薄膜及其量子点结构的光学性质研究。

主要学术成绩：

近年来发表 SCI、EI论文80余篇（其中权威性杂志Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等杂志近10篇）；国际会议报告五次；论文他引150余次；申请国家发明专利6项；

《 LASER FOCUS WORLD》杂志在2001年将IV－VI中红外VCSEL的研究成果作了突破性进展的专门报道。 获得二○○三年浙江省教育厅科技进步二等奖。