势垒注入渡越时间二极管（BARITT diode，Barrier Injection Transit Time Diode）与IMPATT（雪崩注入渡越时间）二极管一样，也是利用注入和漂移渡越这两个过程的相位延迟来实现微波振荡的；但是不同的是这里利用的是p-n结势垒的注入作用。其基本结构是基区穿通的晶体管型式（即p-n-p结构），其中p-n结用以注入载流子，n区完全耗尽（为漂移区）；所加直流偏压V的大小和方向，既要能保证p-n结正偏以注入空穴，又要保证n-p结反偏以使n区耗尽，即应该有：

VB > VFB > V > VRT ，

式中VRT是穿通电压，VFB是平带电压，VB是雪崩击穿电压。BARITT二极管的直流I-V特性包括有指数段 (势垒注入区) 和线性段 (空间电荷区) 两个部分；作为微波工作的器件应该是在指数段 (但要求> VRT)，也因此这种二极管可用作为稳压管（其高速、低导通电压等性能要优于普通的稳压二极管）。BARITT二极管由于其势垒注入的相位延迟要小于雪崩注入的，所以这种二极管的输出功率和转换效率都低于IMPATT二极管 (在10GHz时约低2个数量级)；但是BARITT二极管中无雪崩倍增作用，则噪音低 (要比IMPATT二极管的低两个数量级)，可用作为本振信号源。