碰撞离化【impact ionization】【】 半导体中的自由载流子在强电场作用下加速到具有足够高的能量，在与晶格的相互作用中使另一个电子从价带跃迁到导带，从而产生新的电子－空穴对的过程。碰撞离化所需的电场强度取决于半导体材料的带隙宽度，载流子在强电场区内的一连串碰撞离化过程造成载流子的雪崩倍增，在外电路中表现为电流的雪崩倍增。半导体中载流子碰撞离化理论分析的一个重要方面是通过离化阙值能量、声子散射率等物理量，阐明能带结合、载流子分布函数等对离化系数的影响。碰撞离化分析的另一个重要方面是，将碰撞离化系数与载流子倍增联系起来，从而与器件应用合离化系数的测量技术相结合，可在实验上由光电流雪崩增益随偏压和注入条件的变化的测量推导出载流子的离化系数。载流子碰撞离化效应应用于实际器件的一个重要例子是半导体雪崩光电二极管。