| 词条 | 南昌大学材料科学研究所 |
| 释义 | 南昌大学材料科学研究所（教育部发光材料与器件工程研究中心），主要致力于半导体发光材料与器件的研究与开发，“发光材料与器件”这一研究方向是南昌大学材料物理与化学国家重点学科、材料物理与化学博士点、材料科学与工 程 博士后科研流动站的主要研究方向和重要研究基地。中心研究工作涵盖发光材料制备、发光器件制作、发光材料生长设备开发研制、发光器件应用等方面。 研究所简介中心先后承担了 863 项目、国家基金项目、电子发展基金项目等 10 余项，从事 GaN 基 LED 材料及器件研发和生产 10 年整，从跟踪走上了跨越，研制成功输出功率 9 毫瓦的垂直结构的硅衬底 GaN 蓝光 LED ，申请发明专利 10 项，走出了一条具有自主知识产权、低成本、具有国际竞争力的半导体照明技术路线。 中心现有研究人员 14 人，开发和生产人员 106 人。 材料所所长、工程研究中心主任江风益教授，博士生导师，多年从事 GaN 基 LED 材料与器件的教学与科研工作，先 后培养 博士、硕士研究生近 40 人。 江风益 教授是全国杰出专业技术人才（中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予），国家有突出贡献中青年专家，中国物理学会发光分会副理事长，曾主持 863 项目、国家基金项目、电子发展基金项目等 10 余项。 2006 年 4 月以江风益课题组为技术依托，由金沙江创业投资基金牵头，联合国际顶尖级创业投资基金 Mayfield fund, Asia vest 三家国际风险投资基金共同投资设立了专门从事硅衬底 GaN 基 LED 外延材料与器件研发与生产的高科技企业——晶能光电（江西）有限公司，江风益出任公司董事长兼总裁。 学术研究当前的研究方向主要有 [1]Si 衬底上 GaN 基半导体材料生长与器件研制； [2] 功率型蓝、绿光及白光 LED 材料与芯片； [3]ZnO 基半导体材料生长； [4] 宽禁带半导体材料专用生产型 MOCVD 系统的研制。 成果介绍中心攻克了一项世界难题，在第一代半导体材料硅衬底上制备出了高质量的第三代半导体材料 GaN ，在国际上率先研制成功高亮度、高可靠性的垂直结构的硅衬底 GaN 基蓝光 LED 。这一成果改变了目前日美等国垄断半导体照明技术的局面，形成了硅衬底半导体照明技术路线。中心研制的硅衬底蓝光 LED 和硅衬底绿光 LED 被分别作为三基色显示屏中蓝光和绿光像元，制作了全球第一块硅衬底 GaN 基 LED 全彩色显示屏。 中心完成的 863 课题成果“硅衬底蓝光二极管材料及器件 ” 被 863 新材料领域专家委推荐为国家科技创新重大成就展项目， 2006 年全国科技大会期间（ 1 月 9 日 － 16 日）在北京展览馆展出。 2006 年 7 月江风益课题组设计的“硅衬底氮化镓发光二极管材料与芯片”荣获首届国家半导体照明工程创新大赛“研发创新奖”。 2006 年 4 月以江风益课题组为技术依托，由金沙江创业投资基金牵头，联合国际顶尖级创业投资基金 Mayfield fund, Asia vest 三家国际风险投资基金共同投资设立了专门从事硅衬底 GaN 基 LED 外延材料与器件研发与生产的高科技企业——晶能光电江西有限公司。 · |
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