名称解释

最新动向

名称解释

解释1

RRAM，阻变式存储器(Resistive Random Access Memory)， 可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术。RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存”。

解释2

RAM，又称忆阻器（英语：memristor /ˈmɛmrɨstər/），又名记忆电阻（英语：memory resistors），是一种被动电子元件。忆阻器被认为是电路的第四种基本元件，仅次于电阻器、电容器及电感元件。

忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”通过的电荷。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。最初于1971年，柏克莱加州大学的蔡少棠预测忆阻器的出现，之后从西元两千年始，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代非挥发性存储器-阻抗存储器(RRAM)中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。

最新动向

解释1关联的最新动向

三星电子成功开发出备受业界瞩目的阻变式存储器(Resistive Random Access Memory)“可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术”。

利用三星电子开发成功的RRAM技术制成的内存产品，和现有内存相比，擦写速度提高了100万倍，可反复擦写1兆次，保证了产品优异的耐久性。不仅如此，还可以大幅降低电流量，因此在业界产生了极大的反响。而且，该产品将原来分别需要一个晶体管和寄存器(Register)的1T1R(1 Transistor 1 Register) RRAM结构变成不需要额外晶体管的结构，因此可以提供进一步扩展内存容量的可能性。