林晓春,男，副教授，西安电子科技大学技术物理学院503教研室，主要研究方向为光电检测与控制，主要包括：数字图像处理，半导体圆片上缺陷的光电诊断方法研究和MOCVD薄膜生长过程的光电监控技术等。2005年主持科研合同经费共94余万元。

研究方向

过分多个

科研成果

1、数字图像处理

红外目标检测对医学图像处理、农作物病虫害监视、污染物探测、地域性干旱调查以及地下矿藏勘查是十分重要的，同时在军事上它还是红外搜索跟踪系统、红外成象制导导弹、和红外告警系统的核心技术，是提高作用距离和检测概率等关键技术指标的重要途径，是进一步提高系统性能的关键技术环节，国内外一直将这一问题作为红外图像处理的研究重点和难点。五年来主要研究的课题包括：机载红外搜索跟踪系统（O9905H04，第三人），风动起爆器预警系统（O0005h04，第一人），直升飞机着舰引导系统图象处理（O0005h07，第一人），水上竞赛电子裁判设备研制（O0205P04，第一人），木工数控机床样机研究（09804H01，第二人），STZ—1B转台控制器研究（O0004h01，第二人）等。该课题方向以《红外与可见光成像跟踪研究》为题，获1999年1月28日西安市人民政府颁发的西安市科技进步三等奖。

2、 半导体圆片上缺陷的光电诊断方法研究

在VLSI生产过程中，缺陷的探测和分类是关乎生产成品率的重要问题。半导体制造业的急剧发展对生产管理中的测量与检测系统提出更高的要求。对圆片质量进行有效的实时在线自动诊断已成为保证VLSI质量的关键技术手段。缺陷诊断关键步骤是对缺陷光散射显微成像，因而理论分析缺陷的散射特性及其相应的光学探测系统设计至关重要。该方向的研究工作在国内尚处于起步阶段。主要研究课题有：表面上不规则微粒缺陷的光散射计算（03003，第一人）。成果有：第十二届全国光散射学术会议发表论文4篇，光散射学报发表论文4篇。

3、 MOCVD薄膜生长过程的光电监控技术

由于目前我校开发研制的MOCVD设备主要用于生长宽禁带半导体材料（GaN,SiC等），对沉积过程中的薄膜生长率、薄膜应力等控制要求严格。目前设备还无法对薄膜生长过程监测，只能依靠操作人员经验安排沉积进程。因此，本研究方向将开展MOCVD薄膜生长过程参数监测方法研究，以解决该系统薄膜生长率、薄膜应力精确现场测量的问题。该研究将使目前MOCVD设备生长控制方式改善，从而能制造高性能的半导体材料和器件，产生的社会和经济效益，在理论和实际两方面取得明显成果。该方向的研究工作在国内尚处于起步阶段。主要研究的课题包括：MOCVD系统控制模式和方法研究（陕西省自然基金，2002F13，第二人）。论文成果有：《半导体光电》论文一篇：用光反射测量方法实时检测薄膜应力的一种新装置，《半导体学报》论文一篇：基于自会聚多光束阵列的薄膜应力传感器。