| 词条 | 陈星弼 |
| 释义 | § 人物简介 陈星弼 陈星弼，原籍浙江浦江，生于上海。1952年毕业于同济大学电机系。电子科技大学教授。五十年代末，对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。八十年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p- n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些迄今唯一的理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构，提高了功率器件的综合性能优值，其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于发展耐高压的功率集成电路。1999年当选为中国科学院院士。 陈星弼教授在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发。他作为唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等学术刊物发表论文40多篇，出版著作五种（六册），取得美国及中国发明专利权七项，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。圆满完成八五国家自然科学基金重点项目、军事预研项目及国家八五科技攻关重大项目，并获得国家八五科技攻关先进个人，受到江泽民总书记等党和国家领导人接见。2002年8月获信产部信息产业重大技术发明奖（三项中排第一），2002年8月获（美国3D公司杰出创新技术认可奖）及评价，不但高度评价本项目技术创新的意义，而且高度评价对环保的意义。有四项部级鉴定的新功率器件与功率集成电路均被评为“结构属国际首创”“性能属国际领先”。 陈星弼教授是中国电子学会会士、美国IEEE高级会员。多次出访国外进行科技学术交流。他热爱祖国、忠诚党的教育事与科学事业。学识渊搏、治学严谨、工作刻苦。有坚实的基础理论，能及时抓住新方向，很快深入，既能发现问题有能解决问题。1991年起享受国务院特殊津贴，1997年被评为电子部优秀教师，1998年被评为全国优秀教师。四川省学术与技术带头人。 § 相关图书 陈星弼1 晶体管原理与设计 作者:陈星弼，张庆中编 ISBN:712102268 出版社:电子工业出版社 出版日期:2006 2 晶体管原理与设计(第2版) 作者:陈星弼著 ISBN:712102268 出版社:电子工业出版社 出版日期:2006年2月 3 固体物理导论 作者:陈星弼编 出版社:国防工业出版社 出版日期:1979 4 晶体管原理 陈星弼编 北京:国防工业出版社 出版日期:1981 5 ·晶体管原理与设计 陈星弼编 成都:成都电讯工程学院出版社 出版日期:1987 6 ·功率MOSFET与高压集成电路 陈星弼著 南京:东南大学出版社 出版日期:1990 § 相关评论报道 1 电子科技大学中山学院——总校中科院院士陈星弼教授莅临我院讲学陈星弼12月8日，我院非常荣幸地邀请了中国科学院院士、电子科技大学教授、博导陈星弼莅临我院讲学。 作为莅临我院讲学的首位中科院院士，陈星弼院士的到来无疑使我院广大师生有了一次近距离感受院士学识风采、与之面对面交流的机会。因此，吸引了众多同学前往听讲，定于16:30开讲的2-104课室早就座无虚席了。 宽大的布幕上投影了陈星弼教授的简历介绍，座位上是同学们焦急等待的目光。当陈院士与马争院长一起走进课室时，全场响起了热烈的掌声。讲座开始前马争院长介绍了陈星弼院士的简历，并简要地说明了讲座“由集成电路（半导体微电子）引起的革命”的内容。陈院士一开口就给人平易近人、和蔼风趣的感觉，“是从小对孙中山先生的崇拜吸引我来这里与大家交流的……”。他微笑着运用多媒体设备开始演讲，图文并茂地引出“第一次电子革命”，并提出“支撑这个世界的就是半导体微电子”,顿时吸引了同学们的注意力。虽然陈院士的讲座有较强的专业理论性，但他深入浅出的论述还是让在场的师生专注地听讲，为他精彩的演讲鼓掌。陈院士渊博的专业知识让同学们增长了许多见识，“集成电路技术引领信息时代的到来，这场革命涉及到每个人，从你的手表到现在普及的电脑……”“集成电路技术发展规律是神奇的Moore定律，它从出现开始一直被挑战但一直站得住脚”陈院士除精辟地论述外还准备了许多材料来加深同学的认识。当他讲到“Moore定律在不断推动世界的进步与发展”时，举出了这样的例子：1959年，1美元买1只晶体管；1999年，1美元买107只晶体管！让人记忆深刻。陈院士还讲述了自己的创造发明专利和国内外的科研情况，展望集成电路（半导体微电子）的发展趋势，提出深刻的见解，让师生们受益匪浅。整个演讲过程中，陈院士的渊博学识和讲学风采都展现了大家风范。 在与同学们短暂的交流中，陈院士就在场同学提出的成才、学习等问题作了详细深刻的解答，并希望青年大学生要重视、正视自己的优势，戒浮戒躁，不要拿别人的优势比自己的短处，要用兴趣去学习，“吃得苦中苦，方为人上人”。当讲座结束时，意犹未尽的同学们对陈星弼院士生动精彩的演讲报以长久热烈的掌声。 2 搜家政-资讯频道——成都电子科技大学教授、著名的电子学家陈星弼 陈星弼他虽然不会说家乡话，但到任何地方，都说自己是浦江人；他常年在外，但时时牵挂着家乡。他就是浦江籍中科院院士、成都电子科技大学教授、著名的电子学家陈星弼。 今年７０岁的陈星弼德高望重，挂着许多头衔：中国电子学会会员、美国ＩＥＥＥ高级会员、中国国家自然科学基金评审员等。功成名就的陈星弼，童年生活漂泊不定，对老家——浦江县郑家坞清塘村的记忆也只保留在６岁举家逃难时不到三个月的短暂记忆里。当时为了躲避日本鬼子，陈星弼随已在外地工作的父亲回到了老家。由于时过境迁，其他都已记不得了，他只记得在郑家坞火车站过了一夜的简陋情景：“晚上特别暗，卫生间的马桶没有盖……”听记者说现在郑家坞大变样了，陈星弼露出了欣喜的目光：“是吗？有机会回去看看。” 到成都电子科技大学任教之前，陈星弼先后在厦门大学、南京工学院、中科院物理研究所工作。陈星弼到成都的时间是１９５９年３月，当时，国家领导已意识到有两个专业将在以后的生活里扮演重要角色，一个是计算机，一个是半导体。因为想以成都电子科技大学为依托，将成都办成一个电子城，年轻有为、学术上崭露头角的陈星弼就这样在国家首次科学规划创建半导体事业的关键时候，移师南下。成都电子科技大学是国内电子学的权威学校，而陈星弼又是成都电子科技大学电子学的元老，不但创建了该校的微电子科学与工程学、微电子研究所，并曾担任系主任与所长之职，而且还是学校电子科技大学半导体器件与微电子学等多项学科的博士生导师、学科带头人。 在陈星弼的带领下，从２０世纪８０年代初期开始，成都电子科技大学就坚持了现代电力电子器件及功率集成电路的研究方向，促进了国家电力电子的发展，形成了重要的研究领域。在该领域里，陈星弼发表了迄今为止惟一的垂直型及横向型功率ＭＯＳＴ的优化理论与设计公式，以及导通电阻与耐压的极限关系。陈星弼还负责过“八五”国家科技攻关重点项目、国家自然科学基金重点项目、国防科工委及各种省部级项目近２０项，其中，两项获美国发明专利，三项获中国发明专利奖，两项获国家发明奖及科技进步奖，１３项获国家教委及省部级奖。１９９９年，陈星弼当选为中科院院士。 “有人把由半导体微电子技术引起的变化称为第一次电子革命，它导致信息时代的到来。微电子技术是应用一个比头发丝小百倍（且愈来愈小）的晶体管（半导体器件）代替５０年前有半个香蕉大的电子管，现在技术已经把为数几百万以上（且愈来愈多）的晶体管做在一个手指甲大小的片子（集成电路）上，这项技术还在飞速发展。”采访时，说到自己的专业，陈星弼津津乐道，不知不觉地就给记者上起课来了…… 3 重庆市北山中学——1944级校友---陈星弼陈星弼陈星弼 男 中科院院士，电子科技大学微电子与固体电子学院教授、博士导师、学科带头人，微电子技术研究所名誉所长。 1931年1月28日出生于上海，浙江省浦江县人。1944年入国立十六中高中部学习，1947年入学于国立同济大学电机系，1952年任厦门大学电机系助教，1953年到1956年南京工学院无线电系任助教，后任讲师。1956-1959年中国科学院物理所进修教师。1959年我国首次科学规划创建半导体事业时，任成都电讯工程学院三系讲师，副教授。此后他一直在成都电讯工程学院（即现在电子科技大学）工作。其中1980年曾去美国俄亥俄大学及加州大学伯克利分校作访问学者及研究工程师，为时两年半。1992-1994年受加拿大多伦多大学邀请作客座教授一年。1994-1995年英国威尔斯大学天鹅海分校电子工程系SeniorVisitingProfessor。他是电子科技大学半导体及微电子学科的学术带头人。1983年担任三系系主任，1984年建立微电子研究所并任所长。 从八十年代初期开始坚持了现代电力电子器件及功率集成电路的研究方向，促进了电力电子技术的发展，形成一重要的领域。他在此领域发表了迄今唯一的垂直型及横向型功率MOST的优化理论与设计公式以及导通电阻与耐压的极限关系。为了充分达到极限耐压，他唯一地在国际上提出各种终端技术的物理解释，分析及设计公式,这些理论成为一个系统且覆盖全面。他在1990年为该学科争取到博士点，并为博士导师。他曾讲授过十门以上不同课程，出版了《半导体物理》上下两册，《固体物理》，《晶体管原理》，《晶体管原理与设计》及《功率MOSFET与高压集成电路》教科书及专著，其中后一本获电子部教材特等奖。从1959年开始到现在，他在物理学报，半导体，IEEETrans.onE.D.,Solid-StateElectronics,InternationalJournalofElectronics等刊物发表论文四十多篇。 他负责过八五国家科技攻关重点项目，国家自然科学基金重点项目及国防科工委及各种省部级项目近二十项，获得美国发明专利两项，中国发明专利三项。获国家发明奖及科技进步奖两项，国家教委及省部级奖十三项，目前还正从事其它几项重要发明的实现及新的探索工作。 他是中国电子学会会士，美国IEEE高级会员，中国国家自然科学基金评审员，美国纽约科学院（并入选其出版的世界名人录Marquis\\\\\\swhointheworld”中），半导体学报编委，中国电子学会半导体与集成技术委员会委员，中国电子学会四川省分会理事兼半导体与集成技术分会主任委员，曾连续担任国际SSICT程序委员及分会主席及一届中德友好电子周分会主席。他精通英语并能顺利阅读俄、德、日语专业文献，对这些外语均有过翻译出版物。 § 主要贡献和重要发明 陈星弼在研讨会发言陈星弼教授在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。 他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发。 他作为唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等学术刊物发表论文40多篇，出版著作五种（六册），取得美国及中国发明专利权七项，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。圆满完成八五国家自然科学基金重点项目、军事预研项目及国家八五科技攻关重大项目，并获得国家八五科技攻关先进个人，受到江泽民总书记等党和国家领导人接见。2002年8月获信产部信息产业重大技术发明奖（三项中排第一），2002年8月获（美国3D公司杰出创新技术认可奖）及评价，不但高度评价本项目技术创新的意义，而且高度评价对环保的意义。有四项部级鉴定的新功率器件与功率集成电路均被评为“结构属国际首创”“性能属国际领先”。 陈星弼任教四十多年来，教过多种课。他亲自教过及培养过近千名的学生，普遍反映受影响最深，他对学生要求严格。这些至今有口皆碑。他公开出版五本书，不少书迄今仍是许多大学的教材。 § 主要学术论著 陈星弼1 OptimizationoftheDriftRegionofPowerMOSFET`swithLateralStructuresandDeepJunctions 2 一维不均匀媒质中的景象法 3 小注入下晶体管Ic-V_be特性的指数因子的研究 4 论晶体管电荷控制法的基础 5 关于圆柱边界突变结的击穿电压 6 关于半导体漂移三极管在饱和区工作的储存时间问题 7 TheoryoftheSwitchingResponseofCBMOST 8 Theoryofoptimumdesignofreverse-biasedp-njunctionssuingresistivefieldplatesandvariationlateraldoping 9 OptimumVLDmakesSPICBetterandCheaper 10 OptimumDopingProfileofPowerMOSFETEpitaxialLayer 11 OptimumDesignParametersforDifferentPatternsofCB-Structure 12 OptimizationoftheSpecificOn-ResistanceoftheCOOLMOS~TM 13 New“siliconlimit”ofpowerdevices 14 Lateralhigh-voltageusinganoptimizedvariationallateraldoping 15 Breakthroughtothe“Siliconlimit”ofPowerDevices 16 Analysisanddesignguidelinesofjit`susedinplanartechnology 17 AnAnalyticalModelforElectricFieldDistributionofPositivelyBeveledAbruptPNJunctions 18 ATheoryofFloatingField-LimitingRingsRegardingtheEffectofSurfaceCharges 19 Asimpledescriptionofdiffusedimpuritydistributionofaninstantaneoussourcethroughawindowofamask 20 ANovelHigh-VoltageSustainingStructurewithBuriedOppositelyDopedRegions |
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