绝缘栅场效应管有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。

绝缘栅场效应管具有更高的输入电阻，制造工艺简单，适于集成电路。增强型MOS管在栅-源极电压=0时，没有导电沟道存在。耗尽型MOS管在栅-源极电压=0时，有导电沟道存在。