| 词条 | 晶格能 |
| 释义 | 定义晶格能又叫点阵能。它是在反应时1mol离子化合物中的阴、阳离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量。 晶格能也可以说是破坏1mol晶体，使它变成完全分离的气态自由离子所需要消耗的能量。 标准状况下，拆开单位物质的量的离子晶体使其变为气态组分离子所需吸收的能量，称为离子晶体的晶格能。 公式用化学反应式表示时，相当于下面反应式的焓变的值。 a Mz+(g) + b Xz-(g)→ MaXb(s) U=ΔH 数值来源/计算方法晶格能的数值有两个来源。 第一个来源-理论计算值第一是理论计算值。它是根据离子晶体模型，考虑其中任一离子跟周围异号离子间的吸引作用，以及跟其他同号离子间的排斥作用推导出下列近似公式计算得到的。 式中NA是阿伏伽德罗常数，Z是离子价数，r0是一对离子间的平均距离，A是跟一定的晶格类型有关的常数，M是跟离子的电子层构型有关的马德隆常数，它的值可取5～12，ε0是真空电容率（8.85419×10-12库-2·牛-1·米-2），n为伯恩常数。例如，氯化钠晶体的Z+=Z-=1，r0=2.814×10-10m，M=8，n=8，代入上述公式可得U=755kJ/mol。 第二个来源-热化学实验值第二是热化学实验值。设计一个热化学循环，然后根据实验测得的热化学量（如生成热、升华热、离解热、电离能、电子亲合势）进行计算。 大小影响因素影响晶格能大小的因素主要是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型等。 离子半径例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低 离子电荷高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能，如UTiN>UMgO>UNaCl。 离子的电子层构型Cu+和Na+半径相近、离子电荷相同，但Cu+是18电子构型，对阴离子会产生极化作用，因此UCu2S<UNa2S。 晶体稳定性离子化合物都有较高的熔点和沸点，这是和它们离子晶体有很大的晶格能有关。由于UMgO>UNaF，MgO的熔点（2800℃）比NaF的熔点（988℃）高得多。 晶格能的大小决定离子晶体的稳定性，用它可以解释和预言离子晶体的许多物理和化学性质。例如，根据晶格能大小可以求得难以从实验测出的电子亲和势，可以求得离子化合物的溶解热，并能预测溶解时的热效应。 晶格能越大，表示离子键越强，晶体越稳定。 晶格能越大，熔化或破坏离子晶体时消耗的能量就越大，相应的熔点就越高，硬度就较大。亚铜离子为18电子构型，钠离子为8电子构型，亚铜离子的极化作用大于钠离子，所以共价键成分更多，晶格能更小，熔沸点更低。因此UCu2S<UNa2S |
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