在集成电路中的二极管有许多种，常见的是p-n结二极管和Zener二极管。其中的p-n结二极管一般都是由BJT进行不同型式的连接而构成的（常常称为集成p-n结二极管，简称为集成二极管），因为这样既不增加新的制作工序，而且又可以得到具有不同电性能的二极管。在图中示出了集成p-n结二极管的6种型式。它们都是在制作BJT的同时而得到的。虽然它们的漏电流大小都差不多，但是在其他许多方面的性能将有所不同，在应用时值得注意。

（a）B-C短路（VBC=0）的二极管（发射结二极管）：

因为在这种结构中，晶体管的集电结实际上并不起作用，因此，不存在衬底的寄生p-n-p管的影响（参见图3-27）；而且晶体管也不可能进入过饱和状态（因为集电结电压始终为0），则开关的存储时间很短，从而二极管的开关速度最快；同时，这时的晶体管实际上是处于临界饱和状态（发射结正偏、集电结0偏），故交流电阻较小，正向压降也较低。此外，由于发射区掺杂浓度很高，则该二极管的最高工作温度较高、反向饱和电流也较小。所以，这种二极管在IC中用得最多。DTL电路的输入门二极管一般就都采用这种二极管。

（b）C-E短路（VCE=0）的二极管：

当这种二极管导通时，晶体管的两个p-n结都是正偏的，即晶体管处于饱和状态，则将在基区和集电区中产生大量的少数载流子的过量存储电荷，故这种二极管开关的存储时间很长，可用作为电荷存储管；而且这是两个p-n结并联的二极管，势垒电容较大；同时，这里由于集电结的正偏也将导致出现寄生p-n-p管效应。所以，这种二极管的性能较差，一般不用。

（c）B-E短路（VBE=0）的二极管（集电结二极管）：

该集成二极管的最大特点是击穿电压较高（因为集电区的掺杂浓度较低，击穿电压可大于20V）。但是当二极管在工作时，就相当于晶体管处于反向临界饱和状态，则将由于集电结正偏，而导致出现寄生p-n-p管效应。因此，这种二极管一般少有使用。

（d）集电极开路（IC=0）的二极管（发射结二极管）：

当这种二极管导通工作时，晶体管的发射结正偏，即向基区注入少数载流子，同时，由于这些载流子又不能流出集电极，则将导致集电结上产生出较大的浮空电势（正偏），从而在基区中有大量的存储电荷，使得二极管的开关速度较低；并且，由于集电结的这种正偏作用也将产生寄生p-n-p管效应。此外，由于发射区掺杂浓度很高，则二极管的正向压降较高；同时，二极管的寄生端电容较小。一般，这种发射结二极管在电路中作电平位移用。

（e）发射极开路（IE=0）的二极管（集电结二极管）：

这种二极管在工作时，其内部载流子的分布状况与集电极开路的发射结二极管基本相同，因此其特性也相差不大，即二极管的存储时间较长，并且也存在寄生p-n-p管效应。不过，这种二极管的击穿电压较高（大于20V）。该二极管一般少有使用。

（f）单独的集电结二极管：

这种二极管的特点是面积小（因为不需要发射结），正向压降也低（中等），耐压又高，而且势垒电容和寄生端电容都较小。所以这种二极管在IC中也用得较多。

总之，在IC中用得最多的集成二极管是两种，即B-C短路的发射结二极管和单独的集电结二极管。其它型式的二极管一般用得较少。