基区扩展电阻rbb’是指双极型晶体管在发射区的正下方、与结面平行的电阻 (即两个2 rbb’的并联电阻)；因为基极电流IB在发射区下方是不均匀横向流动的 (在流向发射极中央时不断减小)，故这部分基区的电阻是扩展的电阻。基极扩展电阻上的横向电压为 Vbb’ = rbb’ IB。以双基极条结构为例，基极电阻rb可分为3部分：内基极电阻 (即为扩展电阻rbb’，电流不均匀,), 外基极电阻 (即为欧姆电阻RDB, 电流均匀) 和基极电极接触下方的基极电阻 (电流均匀, 为欧姆电阻R’)，有 rb = (1/2) (rbb’+ RDB + R’) 。

基极电阻具有许多不良的影响：①影响着晶体管的输入阻抗；②产生电压反馈；③因为基极扩展电阻上的横向电压，则将引起发射极电流集边或集中效应；④影响晶体管的功率增益特性；⑤影响晶体管的频率特性；⑥影响晶体管的电流容量；⑦影响晶体管的噪声特性、开关特性等。因此, 基极电阻是表征晶体管好坏的一个重要参数, 必须在设计和制造时尽量加以减小。

减小基极电阻的方法大致有如：①减小E-B间距 (对梳状结构，需增加发射极条数，减小发射极条和基极条的宽长比；对圆形结构, 需增大发射极半径、减小基极环半径)；②在保证放大系数的情况下尽量提高基区掺杂浓度；③减小基极欧姆接触电阻。