黄仕华，1967年9月出生，江西南城人，博士，教授。1989年毕业于四川大学半导体物理专业，1997年毕业于云南大学凝聚态物理专业，获理学硕士学位，2004年毕业于复旦大学凝聚态物理专业，获博士学位。2004年8月至今在浙江师范大学工作。2008年12月至2009年4月在台湾国立中兴大学先端产业与精密制程共同实验室作访问学者，从事非晶硅/多晶硅异质结太阳能电池的研究。目前主要从事硅基薄膜太阳能电池和染料敏化太阳能电池的研究。

一、研究经历：

（1）在锗硅量子阱和量子点结构的电学和超快光学等方面开展了较多的研究。研究了GeSi/Si量子阱的光电流吸收谱与外加电场的关系；采用导纳谱、深能级瞬态谱、光电容谱等方法观察到锗硅量子阱、量子点中的载流子发射；用导纳谱、电容－电压谱、光电流谱研究了Ge量子点中的量子束缚效应；用光电流相位相关谱研究了Ge量子点中的超快相位动力学过程；利用飞秒泵浦－探测技术研究了InP、ZnSe中的超快动力学过程；研究了用PECVD方法生长的非晶硅的激光晶化。

（2）用分子束外延发法及磁控溅射法制备锗硅量子阱材料和金属硅化物。利用不同温度下的电流－电压谱研究了镍硅化物的肖特基势垒的均匀性及相的转变；提出了一个简单的载流子漂移－扩散模型较好地解释了p-i-n多量子阱的光电流的吸收系数与外加电场的关系。

（3）在Hg1-xCdxTe红外材料的生长、拉曼光谱、热处理、少子寿命及组分均匀性开展过一些研究工作。设计了一套能进行开管液相外延的系统，并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的条件下生长Hg1-xCdxTe外延薄膜，其表面形貌、组分均匀性得到较大改善；利用拉曼光谱研究了Hg1-xCdxTe中Te的沉淀相及其氧化物相的拉曼散射峰，观察到了Hg1-xCdxTe禁戒共振增强拉曼散射现象；利用微波反射法测量Hg1-xCdxTe中的少子寿命，用椭圆偏振仪分析Hg1-xCdxTe的组分均匀性。

（4）在理论计算方面，包括在真空静磁场下强脉冲激光加速电子的数值计算、p-i-n结构半导体二极管中光生载流子输运的计算。

（5）在教学方面，为本科生开设过固体物理、量子力学、半导体物理、电动力学、大学物理、大学物理实验等课程，为研究生半导体器件物理、材料物理、凝聚态物理学等课程。

二、目前研究方向： 1、硅基薄膜太阳能电池

2、染料敏化纳米晶太阳能电池

3、纳米晶浮栅存储器

三、目前本研究小组拥有的主要实验设备： 1、超高真空多功能磁控溅射系统

2、高灵敏荧光光谱测量系统

3、I-V、C-V测试仪

4、光刻机

四、科研项目： 1、低成本和高效率的多晶硅薄膜太阳能电池的研究（61076055），国家自然科学基金项目，40万+40万，

2011.1～2013.12

2、玻璃衬底多晶硅薄膜太阳能电池的制备技术研究（2009-1-141），金华市科技计划项目，2009.1～2011.12

3、硅量子阱太阳能电池的研究（FDS2008-B08，复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题，6万，

2008.1 ～2009.12

4、利用丝网印刷技术制备大面积染料敏化太阳能电池的实验研究与开发（KJ20080207），校横向开发课题，

8.5 万，2008.1～2008.12

5、新型锗硅量子阱红外探测器的研制（Y404363），浙江省自然科学基金，1万+1万，2005.1～2006.12

五、发表的科研论文： 【1】 Zhou Xia, Shihua Huang, Structure and property of magnetron sputtered ternary cobalt–nickel silicide films, Microelectronic Engineering, 87, 1828 (2010)【2】 Zhou Xia, Shihua Huang, Structural and photoluminescence properties of silicon nanocrystals embedded in SiC matrix prepared by magnetron sputtering, Solid State Communications, 150, 914 (2010)【3】 Shihua Huang, Analysis of Photocurrent Spectra of SiGe/Si Quantum-Well Solar Cell, IEEE Transactions on Nanotechnology, 9, 142 (2010)【4】 Shihua Huang, and Yan Ling, Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots excited by ultraintensive femtosecond laser, Journal of Applied Physics, 160, 103522 (2009)【5】 Shihua Huang, Fengmin Wu, and Bo Hu, Formula for the phase velocity of electromagnetic waves, Physical Review E 79, 047601 (2009)【6】 Shihua Huang, Zhou Xia, Hong Xiao, Jufang Zheng, Yunlong Xie, Guanqun Xie, Structure and property of Ge/Si nanomultilayers prepared by magnetron sputtering, Surface & Coatings Technology, 204, 558 (2009)【7】 Hong Xiao, Shihua Huang, Jufang Zheng, Guanqun Xie, Yunlong Xie, Optical characteristics of Si/SiO2 multilayers prepared by magnetron sputtering, Microelectronic Engineering, 86, 2342 (2009)【8】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Comment on “Field structure and electron acceleration in a laser beam of a high-order Hermite–Gaussian mode” [J. Appl. Phys. 101, 083113, (2007)], Journal of Applied Physics 105, 026101 (2009)【9】 Shihua Huang, Hong Xiao, Sha Shou, Annealing temperature dependence of Raman scattering in Si/SiO2 superlattice prepared by magnetron sputtering, Applied Surface Science, 255, 4547 (2009)【10】 娄志再、黄仕华，用荧光技术检测蔬菜中的残留农药，激光生物学报，6, 807 (2008)【11】 黄仕华、吴锋民，外加静电场的聚焦激光脉冲真空加速电子方案，物理学报，57，7680 (2008)【12】 寿莎、黄仕华，Si/SiO2超晶格晶化特性影响因素分析，材料导报：纳米与新材料专辑，2, 58 (2008)【13】 王建波、黄仕华、郑建龙、李炜，与方波合成有关的李萨如图形的实验与理论研究，物理实验，28, 42 (2008)【14】 Shihua Huang, Femtosecond first-order autocorrelation measurement based one-photon induced photocurrent in Si Schottky diodes, Optics & Laser Technology，40，1051 (2008)【15】 程佩红、黄仕华，Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟，半导体学报 29，110 (2008)【16】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Xianghao Zhao, Electron acceleration by a focused laser pulse in a static magnetic field, Physics of Plasmas, 14, 123107 (2007)【17】 黄仕华，短暂时间间隔测量及飞秒技术，光学技术（增刊），33，26 (2007)【18】 黄仕华、徐晶晶，二维三角离子晶体马德隆常数的计算，浙江师范大学学报（自然科学版），30，282 (2007)【19】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Comment on “Electron acceleration by an intense short pulse laser in a static magnetic field in vacuum” , Physical Review E 74, 068401 (2006)【20】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Study of the inhomogeneity of Schottky barrier height in nickel silicide by the internal photoemission spectroscopy, Modern Physics Letters B 20, 1825 (2006)【21】 黄仕华，锗硅量子阱结构带间吸收边研究，光子学报 35，1676 (2006)【22】 Shihua Huang, The study of optical characteristic of ZnSe nanocrystal, Applied Physics B: Lasers and Optics 84, 323 (2006)【23】 Shihua Huang, A study of ultrafast carrier dynamics in laser-crystallized microcrystalline SiGe at highly excited density using time-resolved reflectivity measurement, Semiconductor Science and Technology 21, 729 (2006)【24】 Shihua Huang, Fang Lu, Investigation on the barrier height and inhomogeneity of nickel silicide Schottky, Applied Surface Science 252, 4027 (2006)【25】 黄仕华，陆昉，ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱，半导体学报, 27, 717 (2006)【26】 Shihua Huang, Fengmin Wu, and Ji Lin, Photocurrent absorption spectroscopic study of Si0.6Ge0.4/Si quantum wells, International Journal of Modern Physics B 20, 133 (2006)【27】 Shihua Huang, Hao Zhou, Zuiming Jiang and Fang Lu, The study of ultrafast phase dynamics of carriers in Ge quantum dots by photocurrent correlation phase spectroscopy, Nanotechnology 16, 53 (2005)【28】 黄仕华，李汐，凌严，陆昉，半导体中超快过程的研究，红外与毫米波学报 24, 179 (2005)【29】 Shihua Huang, Yun Tian and Fang Lu, Investigation on the barrier height and phase transformation of nickel silicide Schottky contact, Applied Surface Science 234, 362 (2004)【30】 Shihua Huang, Xi Li and Fang Lu, Study of the photoexcited carrier dynamics in InP:Fe using time-resolved reflection and photoluminescence spectra, Applied Surface Science 230, 158 (2004)【31】 X.Y. Ma, Sh. H. Huang, Y. Chen and F. Lu, Investigation the quantum confined effects in Ge dot embeded in Si by electrical measurements, Applied Surface Science 225, 281 (2004)【32】 S H Huang, X Y Ma, X J Wang and F Lu, Optical characteristics of laser-crystallized Si1-xGex nanocrystals Nanotechnology 14, 25 (2003)【33】 S. H. Huang, H. Zhou, Z.M. Jiang and F. Lu, Electric field dependence of photocurrent absorption in GeSi/Si quantum wells, Microelctronic Engineering 66, 136 (2003)【34】 Hao Zhou, Shihua Huang, Yin Rao, Zuimin Jiang and Fang Lu, Quantum levels in Ge quantum dots studied by photocurrent spectroscopy and admittance spectroscopy, Solid State Communication 125, 161 (2003)【35】 黄仕华、莫玉东，HgCd1-xTex的共振拉曼散射，物理学报50, 964 (2001)【36】 黄仕华、夏成杰、黄守江、张鹏翔，用拉曼散射研究碲镉汞中的缺陷，光谱学与光谱分析21, 492 (2001)【37】 黄仕华、蔡毅、钱晓凡、陈永安，用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性，半导体光电22, 224 (2001)【38】 黄仕华、何景福、陈建才、雷春红，碲镉汞的液相外延生长，半导体学报22, 613 (2001)【39】 黄仕华、黄守江、雷春红、张鹏翔，HgCd1-xTex的拉曼散射，红外技术22, 39 (2000)【40】 黄仕华、夏成杰、贾友见、孟清兰，用微波反射法测HgCdTe中少数载流子的寿命，半导体光电21, 254 (2000)【41】 黄仕华，退火温度下Hg在HgCdTe中的扩散，光电子技术19, 178 (1999)

…………数据更新截至2010年9月1日…………