Kondo效应是指磁性杂质中的局域自旋与自由电子强关联相互作用所引起的一系列低温反常现象：大多材料电阻率在高温下与T成正比，在低温下与T^5成正比，这是由于声子数随材料冷却而减少造成的；在稀磁合金中，材料电阻在处于Kondo温度时达到最小值，在低于该温度时与-lnT成正比，高于该温度与T^5成正比。近年来，扫描隧道显微镜技术的迅速发展使人们能够精确地测量单个磁性原子或分子在金属表面上的Kondo效应，而在原子尺度上探索影响Kondo效应的因素是实现单分子自旋态量子调控的关键。