这是利用合金工艺（金属与半导体熔合的一种技术）制造出来的一种p-n结。合金工艺的基本点，就是把杂质金属与半导体衬底放在一起加热、让局部熔化成为液相合金之后，然后冷却、再结晶来得到高掺杂的半导体区域，从而可制作出p-n结。例如，在n型Ge衬底上放置p型杂质In粒，通过熔化和再结晶后，就在In粒的下面产生出了合金p-n结。合金结属于单边突变结。

合金工艺比较简单易行，早期的晶体二极管和晶体三极管，多半是用合金工艺制造的。但是合金工艺不容易控制好相邻两个合金结之间的距离，因此合金晶体管的性能难以提高。现在绝大多数BJT都是用高温固态扩散的工艺来制造的。