| 词条 | IRF640 |
| 释义 | 概述：IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。 TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。 基本信息基本参数：IRF640，采用TO-220AB 封装方式。 晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:18A 电压, Vds 最大:200V 开态电阻, Rds(on):0.15ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:4V 功耗:150W 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 功率, Pd:150W 封装类型:TO-220AB 晶体管类型:MOSFET 热阻, 结至外壳 A:1°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:200V 电流, Id 连续:18A 电流, Idm 脉冲:72A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 阈值电压, Vgs th 最高:4V 特性：贴片安装 IRF640S 可选卷带包装 IRF640S 低端通孔安装 IRF640L 动态dv/dt率 150℃工作温度 IRF640S、IRF640L 快速转换速率 可恢复性雪崩测定 并行简易 仅需简单驱动 无铅环保 |
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